[发明专利]将导电粘着材料注塑到表面多个空腔的方法、装置和系统有效
申请号: | 200710084676.3 | 申请日: | 2007-03-01 |
公开(公告)号: | CN101060067A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 史蒂文·A.·考得斯;约翰·U.·尼克博克;詹姆斯·L.·斯匹戴尔;彼得·A.·格鲁伯 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/48;B23K1/00;B23K3/00;B23K3/06;H05K3/34;B23K101/40 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 粘着 材料 注塑 表面 空腔 方法 装置 系统 | ||
1.一种将导电粘着材料注塑到模具表面中的多个空腔中的方法, 该方法包括:
将填充头与模具表面对准,其中该模具表面包括多个空腔;
将填充头放置得与该模具表面接触;
在填充头的第一区域附近通入至少第一气体,所述至少第一气体 具有高于与填充头机械耦接的容器中所容纳的导电粘着材料的熔点的 温度,从而当导电粘着材料与所述至少第一气体彼此紧密接近时,使 导电粘着材料保持在熔融状态;
将导电粘着材料从填充头挤出到该模具表面;
将导电粘着材料在所述多个空腔中的至少一个空腔与填充头接 近的同时提供到所述至少一个空腔中;以及
在填充头的第二区域附近通入至少第二气体,所述至少第二气体 具有低于该导电粘着材料的熔点的温度,从而当所述至少一个空腔经 过填充头的具有所述至少第二气体的所述第二区域下面时,使所述至 少一个空腔中的导电粘着材料凝固。
2.如权利要求1所述的方法,还包括:
将所述至少第一气体通入第三气体通道,其中第三气体通道与第 一气体通道机械耦接,并且位于填充头的第三区域附近,所述第三区 域与填充头的第一区域不同;以及
将所述至少第二气体通入第四气体通道,其中第四气体通道与第 二气体通道机械耦接,并且位于填充头的第四区域附近,所述第四区 域与填充头的第二区域不同。
3.如权利要求1所述的方法,其中,该模具表面包括矩形或非 矩形之一的模具表面。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述导电粘着材料包括焊 料。
5.如权利要求1所述的方法,其中,填充头为下述情况中的任 意一种:比该模具表面的预定区域的半径稍长、比该模具表面的预定 区域的直径稍长、和与该模具表面的预定区域的宽度相等。
6.如权利要求1所述的方法,其中,填充头包括弯曲的构造, 该构造与该模具表面的预定区域的周边曲率匹配,填充头相对于该预 定区域的半径对准。
7.一种将导电粘着材料注塑到模具表面中的多个空腔中的填充 头,该填充头包括:
容器,用于容纳导电粘着材料;
与该容器机械耦接的导电粘着材料通道;
相对于导电粘着材料通道垂直定位的传送槽,所述传送槽通过导 电粘着材料通道从该容器接受导电粘着材料,以将导电粘着材料提供 到该模具表面上的至少一个空腔;
位于填充头的第一区域附近的至少第一气体通道,所述至少第一 气体通道用于通入至少第一气体,所述至少第一气体具有高于机械耦 接到填充头的容器中容纳的导电粘着材料的熔点的温度,从而当导电 粘着材料和所述至少第一气体彼此紧密接近时,保持导电粘着材料处 于熔融状态;和
位于填充头的第二区域附近的至少第二气体通道,所述至少第二 气体通道用于通入至少第二气体,所述至少第二气体具有低于该导电 粘着材料的熔点的温度,从而当所述至少一个空腔经过填充头的具有 所述至少第二气体的所述第二区域下面时,使所述至少一个空腔内的 导电粘着材料凝固。
8.如权利要求7所述的填充头,还包括:
位于填充头的第三区域附近且机械耦接到第二气体通道的至少 第三气体通道,所述至少第三气体通道用于将所述至少第二气体通入 不同于第一区域的第三区域附近;和
位于填充头的第四区域附近且机械耦接到第一气体通道的至少 第四气体通道,所述至少第四气体通道用于将所述至少第一气体通入 不同于第二区域的第四区域附近。
9.如权利要求7所述的填充头,其中,所述导电粘着材料包括 焊料。
10.如权利要求7所述的填充头,其中,该模具表面包括矩形或 非矩形之一的模具表面。
11.如权利要求7所述的填充头,其中,传送槽为下述情况中的 任意一种:比该模具表面的预定区域的半径稍长、比该模具表面的预 定区域的直径稍长、和与该模具表面的预定区域的宽度相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造