[发明专利]固态成像器件

权利要求书

1、一种包括像素区的固态成像器件，在该像素区中，多个像素以矩阵形式设置在半导体衬底上，其中

所述多个像素中的每一个包括：

光电二极管，用于对入射光进行光电转换；以及

放大晶体管，用于放大该光电二极管输出的像素信号，并且

所述放大晶体管是掩埋沟道型MOS晶体管。

2、根据权利要求1所述的固态成像器件，其中

所述多个像素中的每一个还包括：

传输晶体管；以及

复位晶体管，并且

所述传输晶体管和所述复位晶体管中的每一个是表面沟道型MOS晶体管。

3、根据权利要求1所述的固态成像器件，还包括：设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的噪声消除电路，用于去除所述放大晶体管输出的所述像素信号中所包含的噪声分量；以及

设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的输出放大器，用于放大从所述噪声消除电路输出的所述像素信号，并输出放大后的所述像素信号，其中

形成所述噪声消除电路的每个晶体管和作为所述输出放大器的晶体管是表面沟道型MOS晶体管。

4、根据权利要求2所述的固态成像器件，还包括：设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的噪声消除电路，用于去除所述放大晶体管输出的所述像素信号中所包含的噪声分量；以及

设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的输出放大器，用于放大从所述噪声消除电路输出的所述像素信号，并输出放大后的所述像素信号，其中

形成所述噪声消除电路的每个晶体管和作为所述输出放大器的晶体管是表面沟道型MOS晶体管。

5、根据权利要求1所述的固态成像器件，还包括：设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的噪声消除电路，用于去除所述放大晶体管输出的所述像素信号中所包含的噪声分量；以及

设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的输出放大器，用于放大从所述噪声消除电路输出的所述像素信号，并输出放大后的所述像素信号，其中

形成所述噪声消除电路的晶体管中的至少一个或者作为所述输出放大器的晶体管是掩埋沟道型MOS晶体管。

6、根据权利要求2所述的固态成像器件，还包括：设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的噪声消除电路，用于去除所述放大晶体管输出的所述像素信号中所包含的噪声分量；以及

设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的输出放大器，用于放大从所述噪声消除电路输出的所述像素信号，并输出放大后的所述像素信号，其中

形成所述噪声消除电路的晶体管中的至少一个或者作为所述输出放大器的晶体管是掩埋沟道型MOS晶体管。

7、根据权利要求1所述的固态成像器件，还包括：设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的噪声消除电路，用于去除所述放大晶体管输出的所述像素信号中所包含的噪声分量；以及

设置在所述半导体衬底上并位于所述像素区外部的输出放大器，用于放大从所述噪声消除电路输出的所述像素信号，并输出放大后的所述像素信号，其中

包括在所述像素区、所述噪声消除电路和所述输出放大器中的每个N型MOS晶体管都是掩埋沟道型MOS晶体管。

8、根据权利要求1所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。

9、根据权利要求2所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。

10、根据权利要求3所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。

11、根据权利要求4所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。

12、根据权利要求5所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。

13、根据权利要求6所述的固态成像器件，其中

所述放大晶体管是将P型硅膜作为栅极的N型MOS晶体管。