[发明专利]配线和有机晶体管及其制造方法有效
申请号: | 200710084824.1 | 申请日: | 2007-02-27 |
公开(公告)号: | CN101071803A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 诹访雄二;桥诘富博;藤森正成 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种电气配线,其为在绝缘层上设置的电气配线,其特征在于:具有所述电气配线的本体由第一金属构成,在其表面覆盖厚度为0.5原子层~5原子层的第二金属的薄膜的结构,所述第一金属为Ag、Cu、Fe、Al、Ni中的任意一种,所述第二金属为Au、W、Pb、Pt、Rh、Pd、Ir、Ru、Os、Mo中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的电气配线,其特征在于:在组合所述第一金属和第二金属时,采用第二金属可在表面偏析的组合。
3.有机晶体管,其包括基板、在该基板上设置的门电极、以覆盖该门电极的形态设置的绝缘层、在该绝缘层上以夹着所述门电极的形态设置的源电极和漏电极以及以覆盖该源电极和漏电极的形态设置的有机半导体,其特征在于:具有所述源电极和漏电极的本体由第一金属构成,在该本体表面覆盖厚度为0.5原子层~5原子层的第二金属的薄膜的结构,所述第一金属为Ag、Cu、Fe、Al、Ni中的任意一种,所述第二金属为Au、W、Pb、Pt、Rh、Pd、Ir、Ru、Os、Mo中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的有机晶体管,其特征在于:在组合所述第一金属和第二金属时,采用第二金属可在表面偏析的组合。
5.根据权利要求3所述的有机晶体管,其特征在于:在所述源电极和漏电极的外表面与所述有机半导体的接触部上,间隔着自组装单分子膜。
6.有机晶体管的制造方法,其包括:
a)准备基板的工序;
b)在所述基板上形成门电极的工序;
c)以覆盖所述门电极的形态形成绝缘层的工序;
d)在所述绝缘层上以夹着所述门电极的形态形成源电极和漏电极的工序;
e)以覆盖所述源电极和漏电极的形态形成有机半导体的工序,
其特征在于,所述d)工序包括:
在形成所述源电极和漏电极的区域涂布微粒子油墨的工序,其中微粒子油墨以特定比例包含第一金属原子和第二金属原子,并且由特定的有机物制成了微粒子;
对于形成所述源电极和漏电极的区域在50~300℃之间的特定温度进行特定时间的热处理,以除去所述微粒子油墨中的有机物,并且使所述第二金属原子在第一金属原子的表面以0.5原子层~5原子层的厚度偏析的工序。
7.根据权利要求6所述的有机晶体管的制造方法,其特征在于,将所述d)工序变更为如下工序:
在形成所述源电极和漏电极的区域涂布由特定的有机物将所述第一金属原子制成微粒子的微粒子油墨,来代替以特定比例包含第一金属原子和第二金属原子,并且由特定的有机物制成微粒子的微粒子油墨的工序;
对于形成所述源电极和漏电极的区域在50~300℃之间的特定温度进行特定时间的热处理,以除去所述微粒子油墨中的有机物的工序;
所述有机物除去工序之后,在形成所述源电极和漏电极的区域涂布由特定有机物将所述第二金属原子制成微粒子的微粒子油墨的工序;
对于形成所述源电极和漏电极的区域在50~300℃之间的特定温度进行特定时间的热处理,以除去所述微粒子油墨中的有机物,并且由所述第二金属原子在第一金属原子的表面形成薄膜的工序。
8.根据权利要求6所述的有机晶体管的制造方法,其特征在于,将所述d)工序变更为如下工序:
在形成所述源电极和漏电极的区域涂布由特定的有机物将所述第一金属原子制成微粒子的微粒子油墨,来代替以特定比例包含第一金属原子和第二金属原子,并且由特定的有机物制成微粒子的微粒子油墨的工序;
在涂布有由特定的有机物将所述第一金属原子制成微粒子的微粒子油墨的形成所述源电极和漏电极的区域,涂布由特定的有机物将所述第二金属原子制成微粒子的微粒子油墨的工序;
对于形成所述源电极和漏电极的区域在50~300℃之间的特定温度进行特定时间的热处理,以除去所述各微粒子油墨中的有机物,并且由所述第二金属原子在第一金属原子的表面形成薄膜的工序。
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