[发明专利]制作微型连接器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制作微型连接器的方法，尤指一种制作具有高密度薄型且正反面导通的微型连接器的方法。

背景技术

就目前电子产品的发展趋势而言，电子产品的多功能化与微型化已成为主要的方向，且其多功能的表现往往需要整合数个芯片的运作方可达成，然而各芯片之间的连接若透过印刷电路板的电路布局加以达成，势必造成电子产品的体积增加。为了改善此问题，单一系统芯片(system on chip，SOC)的整合因而逐渐盛行。但由于系统芯片工艺技术复杂、成品率不高且价格太高，因此目前许多含有集成电路与微机电产品的半导体元件，均朝向系统封装(system in package，SIP)的封装方式进行，以降低生产成本及提高产品成品率。

系统封装主要的概念是利用微型连接器为媒介，将多个欲整合应用并互相连接的芯片装设在其上，并将上述芯片与微型连接器一并封装成一系统封装结构，而各芯片之间则利用连接器内部所设置的导线层加以电性连接，因此，微型连接器在系统封装上占了相当重要的角色。随着产品朝向轻、薄、短、小发展，缩小系统封装的体积势在必行，因此改善微型连接器的尺寸与各芯片的连接方式已成为一重要的课题。已知硅微型连接器只有单面具有电连接点，在堆叠上有其限制，虽然已知印刷电路板具有正反两面导通的特性，但又由于印刷电路板的体积过大，因此为了缩小封装体积，制作具有高密度薄型、三维堆叠、工艺简化且大量生产的微型连接器，成为业界极力努力的方向。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种制作高密度薄型且正反面导通的微型连接器的方法。

根据本发明，提供一种制作微型连接器的方法。根据本发明的方法，首先提供晶片，该晶片包含有第一表面与第二表面。接着在该晶片的该第一表面形成第一介电层，然后图案化该第一介电层，该第一介电层包含有多个第一开口，并且各该第一开口暴露出该第一表面。随后在这些第一开口暴露出的该第一表面蚀刻出多个孔。再在各该孔内形成内部导电层以填满各该孔，以及在该第一介电层上形成第一表面导电层。接着图案化该第一表面导电层，以暴露出该第一介电层，并且在该第一表面导电层与该第一介电层上形成第一绝缘图层。然后进行薄化工艺，将该晶片的该第二表面薄化，以暴露出各该孔中的该内部导电层。随后在该晶片的该第二表面形成第二介电层，然后图案化该第二介电层，该第二介电层包含有多个第二开口对应在该第二表面的这些孔。再在该第二介电层上形成第二表面导电层，并且填满各该第二开口。然后图案化该第二表面导电层。最后在该第二表面导电层与该第二介电层上形成第二绝缘图层。

本发明的制作微型连接器的方法系透过深蚀刻、无电电镀与薄化工艺，在晶片上制作出具有穿孔的正反面导通的导电层，并且通过薄化工艺薄化至所需的厚度，以提供体积小且高密度的封装，更具有简化、连贯且可大量生产的优点。

附图说明

图1至图17为本发明的优选实施例制作微型连接器的方法示意图。

图18至图19为本发明另一优选实施例制作微型连接器的方法示意图。

附图标记说明

10  晶片              12  第一介电层

14  第一表面          16  第二表面

18  掩模图案          20  第一开口

22  孔                24  表面保护层

26  金属层            28  内部导电层

30  第一表面导电层    32  第一绝缘图层

34  粘着层            36  承载晶片

38  第二介电层        40  第二表面导电层

42  第二绝缘图层    44  微型连接器

具体实施方式

请参考图1至图17，图1至图17为本发明一优选实施例制作微型连接器的方法示意图。如图1所示，首先提供晶片10，例如硅晶片，且晶片10包含有第一表面14与第二表面16，然后在晶片的第一表面14上形成第一介电层12。在本实施例中，第一介电层12为热沉积方式形成的氧化层，其作用在提供绝缘效果，以避免漏电流问题，第一介电层12的形成方式与材料并不限，例如可为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等绝缘材料所构成。