[发明专利]喷沙处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及喷沙处理方法，更详细地说，涉及除去附着在半导体制造装置的构成部件上的堆积物的喷沙处理方法。

背景技术

通常，在半导体部件的制造中，使用半导体制造装置在晶片上形成硅氧化膜等各种膜。

在构成该半导体制造装置的加热器、静电吸盘或支架上，在膜生成过程中附着有堆积物。如果在加热器或支架上附着堆积物的话，则晶片的热均匀性降低，器件特性等的再现性降低。如果在静电吸盘上附着堆积物的话，则不会产生足够的静电吸附力，表面粗糙度发生变化，与晶片的接合程度或热传导方式改变，对等离子体加热时的晶片的热均匀性降低，器件特性等的再现性降低。

因此，在现有技术中对附着在半导体制造装置的构成部件上的堆积物进行定期除去的作业(例如，参照日本特开2002-28599号公报以及特开2005-193308号公报)。

然而，上述特开2002-28599号公报的现有技术记载的堆积物除去方法，是将玻璃珠喷沙材料喷射到被处理物上的方法，在被处理物上残留有玻璃珠喷沙材料，有成为粒子污染源的危险。

另外，上述特开2005-193308号公报所公开的堆积物的除去方法，是对被处理物喷射喷沙材料的方法，由于没有规定喷射时的压力等，所以有产生损伤被处理物表面等的问题的危险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种不损伤被处理物的表面，而且能够可靠地除去堆积物的喷沙处理方法。

为了实现上述目的，本发明的喷沙处理方法，是在氮化铝构成的被处理物的表面上喷射喷沙材料，将附着在该表面上的堆积物除去，其特征在于，作为上述喷沙材料，使用碳化硅或氧化铝构成、且粒度为#400～#800的沙粒，将喷沙材料碰撞被处理物表面时的压力，即喷沙材料压力设定为40～150gf/cm²。

采用本发明的喷沙处理方法，不损伤被处理物的表面，能够仅除去附着在表面的堆积物，在喷沙处理后，喷沙材料几乎不残留在表面上。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所使用的作为被处理物的陶瓷加热器的立体图。

图2是表示在陶瓷加热器的表面上实施喷沙处理的状态的侧视图。

图3是概略表示在陶瓷加热器的表面上实施喷沙处理的状态的立体图。

图4是表示在陶瓷加热器的表面上的喷沙材料的分布范围的示意图。

图5是表示喷射喷沙材料的喷射机构的移动路径和陶瓷加热器的关系的示意图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行说明。

首先说明被处理物。

被处理物使用由氮化铝(ALN)构成的部件。例如可采用陶瓷加热器、静电吸盘及支架等的半导体制造装置的构成零件。

图1是表示本发明的实施方式所使用的作为被处理物的陶瓷加热器1的立体图。该陶瓷加热器1由配置在上侧的圆盘状的板材3、接合在板材3的下面的细长的圆筒状的轴5构成。并且，由于在板材3的表面3a上附着有堆积物，所以对该表面3a实施喷沙处理。

其次说明喷沙材料。

作为喷沙材料，使用由碳化硅(SiC)或氧化铝(Al₂O₃)构成且粒度为#400～#800的沙粒。粒度未满#400的场合，具有在板材3的表面3a上形成细微的凹凸，且热均匀性降低的问题。另一方面，若粒度大于#800时，由于难以充分除去板材3的堆积物，所以有处理时间变得非常长的问题。

接着说明喷沙处理装置。

如图2所示，本实施方式的喷沙处理装置7具备：载置作为被处理物的陶瓷加热器1的载置台9；以及配置在该载置台9上方的喷射机构11。

上述载置台9和喷射机构11构成为在大致水平方向相互正交并可移动，(参照图5)，喷射机构11还可以向上下方向移动。

在载置台9的中央部设有插通孔13，在插通孔13中插入陶瓷加热器1的轴5。另外，板材3的下面与载置台9的上面接触，使陶瓷加热器1载置于载置台9上。

另外，如图2所示，喷射机构11具备主体部15和在该主体部15的前端设置的喷嘴部17，从该喷嘴部17的前端喷出喷沙材料19。

具体地说，如图3所示，设有4个喷嘴17，从各喷嘴17的前端圆锥状地喷出喷沙材料。

因此，如图4所示，各喷嘴部17之间在X方向及Y方向等间隔(例如各100mm)地相隔配置，所以，这4个喷嘴部17配置在正方形的顶点部分。因此，向板材3的表面3a喷射的喷沙材料19的分布范围D在俯视时形成为一边例如为200mm的大致正方形。

下面说明喷沙处理条件。