[发明专利]太阳能发光装置无效

专利信息
申请号: 200710086257.3 申请日: 2007-03-09
公开(公告)号: CN101192602A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 赖利弘;黄堃芳;谢文昇;赖利温 申请(专利权)人: 海德威电子工业股份有限公司;禧通科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;陈肖梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 太阳能 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种光接收发射集成元件,包含:

一太阳能芯片,设置于一承载基座上;

一发光二极管芯片,设置于该承载基座上;

一透明封装体,覆盖该发光二极管芯片及该太阳能芯片;以及

一导电结构,部分暴露于该透明封装体外,其中该太阳能芯片经由该承载基座及该导电结构至少其中之一提供一能量给该发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该透明封装体具有一弧形表面。

3.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该太阳能芯片位于该透明封装体之一焦点位置。

4.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该透明封装体为环氧化合物或玻璃。

5.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该发光二极管芯片为一发光二极管阵列。

6.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该发光二极管芯片选自红光发光二极管芯片、蓝光发光二极管芯片、绿光发光二极管芯片及白光发光二极管芯片其中之一。

7.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该太阳能芯片以一化合物为基底,该化合物为砷化镓、铟砷化镓、碲化镉、铝砷化镓、铜铟硒化镓或其组合物。

8.如权利要求1所述的光接收发射集成元件,其中,该太阳能芯片包含一第一P极及一第一N极,该发光二极管芯片包含一第二P极及一第二N极,该导电结构包含一第一正极金属导线、一共极金属导线及一第二正极金属导线,其中,该第一正极金属导线、该共极金属导线与该第二正极金属导线彼此电性绝缘,且该第一N极与该第二N极电性连接至该共极金属导线,该第一P极电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极电性连接至该第二正极金属导线。

9.如权利要求8所述的光接收发射集成元件,更包含一导线架具有该承载基座、该第一正极金属导线、该共极金属导线与该第二正极金属导线。

10.如权利要求9所述的光接收发射集成元件,其中,该第一P极设置于该太阳能芯片顶面,该第一N极设置于该太阳能芯片底面,该第二P极设置于该发光二极管芯片顶面,该第二N极设置于该发光二极管芯片底面。

11.如权利要求10所述的光接收发射集成元件,其中,该第一P极通过一第一金属引线电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极通过一第二金属引线电性连接至该第二正极金属导线,在该第一N极及该承载基座之间设置一第一导电胶,藉以粘固该太阳能芯片于该导线架上且电性连接该第一N极与该共极金属导线,又在该第二N极及该承载基座之间设置一第二导电胶,藉以粘固该发光二极管芯片于该导线架上且电性连接该第二N极与该共极金属导线。

12.如权利要求11所述的光接收发射集成元件,其中,该第一导电胶与该第二导电胶为银胶。

13.如权利要求9所述的光接收发射集成元件,其中,该第一P极设置于该太阳能芯片顶面,该第一N极设置于该太阳能芯片底面,该第二P极设置于该发光二极管芯片顶面,该第二N极设置于该发光二极管芯片顶面,且位于该第二P极旁。

14.如权利要求13所述的光接收发射集成元件,其中,该第一P极通过一第一金属引线电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极通过一第二金属引线电性连接至该第二正极金属导线,在该第一N极及该承载基座之间设置一导电胶,藉以粘固该太阳能芯片于该导线架上,且电性连接该第一N极与该共极金属导线,该第二N极通过一第三金属引线与该导线架接合而电性连接至该共极金属导线,并有一绝缘的环氧树脂设置于该发光二极管芯片及该承载基座之间,藉以粘固该发光二极管芯片于该导线架上。

15.如权利要求14所述的光接收发射集成元件,其中,该导电胶为银胶。

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