[发明专利]一种芯片天线、天线装置及通信设备

权利要求书

1.一种芯片天线，是线状的导体沿磁性基体的纵向贯通所述磁性基体的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体的垂直于所述纵向剖面上的外径R和内径r的比r/R为0.1以上。

2.如权利要求1所述的芯片天线，其特征在于：所述比值r/R为0.5以下。

3.一种芯片天线，是线状的导体沿磁性基体的纵向贯通所述磁性基体的芯片天线，其特征在于：前述导体的剖面面积s相对于所述磁性基体的垂直于所述纵向的剖面上的所述磁性基体剖面面积S的比s/S为0.029以上。

4.如权利要求3所述的芯片天线，其特征在于：所述比值s/S为0.125以下。

5.如权利要求1所述的芯片天线，其特征在于：平均增益的全面平均为-7dBi以上的带宽在220MHz以上。

6.如权利要求2所述的芯片天线，其特征在于：平均增益的全面平均为-7dBi以上的带宽在220MHz以上。

7.如权利要求3所述的芯片天线，其特征在于：平均增益的全面平均为-7dBi以上的带宽在220MHz以上。

8.如权利要求4所述的芯片天线，其特征在于：平均增益的全面平均为-7dBi以上的带宽在220MHz以上。

9.如权利要求1所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体为Y型铁氧体的烧结体。

10.如权利要求2所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体为Y型铁氧体的烧结体。

11.如权利要求3所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体为Y型铁氧体的烧结体。

12.如权利要求4所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体为Y型铁氧体的烧结体。

13.如权利要求9所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体的烧结体密度为4.8×10³kg/m³以上。

14.如权利要求10所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体的烧结体密度为4.8×10³kg/m³以上。

15.如权利要求11所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体的烧结体密度为4.8×10³kg/m³以上。

16.如权利要求12所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体的烧结体密度为4.8×10³kg/m³以上。

17.如权利要求9所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

18.如权利要求10所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

19.如权利要求11所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

20.如权利要求12所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

21.如权利要求13所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

22.如权利要求14所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

23.如权利要求15所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

24.如权利要求16所述的芯片天线，其特征在于：所述Y型铁氧体在1GHz的初始磁导率为2以上，损失系数为0.05以下。

25.如权利要求1所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体的长度为30mm以下，宽度为10mm以下，高度为5mm以下。

26.如权利要求2所述的芯片天线，其特征在于：所述磁性基体的长度为30mm以下，宽度为10mm以下，高度为5mm以下。