[发明专利]电容式微型麦克风的麦克风芯片无效

专利信息
申请号: 200710087347.4 申请日: 2007-03-14
公开(公告)号: CN101267689A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 洪瑞华;张昭智;蔡圳益;胡辜昱;蒋宇宁 申请(专利权)人: 佳乐电子股份有限公司
主分类号: H04R19/01 分类号: H04R19/01;H04R19/04;H04R7/00
代理公司: 中国商标专利事务所有限公司 代理人: 万学堂
地址: 台湾省台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电容 式微 麦克风 芯片
【权利要求书】:

1. 一种电容式微型麦克风的麦克风芯片,封装于一壳座中而成一电容式微型麦克风,并可与一可将电容变化转换成电压变化的场效晶体管相配合将作用的声能转换成电气信号,其特征在于:

该麦克风芯片是以半导体制程成型并包括:

一振膜,与该壳座内壁面相间隔而区隔出一振动空间,具有一以导体材料构成的第一电极层,及一以绝缘材料构成并形成在该第一电极层上的振膜层,该振膜层并包括一振膜区域,及一环围该振膜区域的种晶区域,该振膜区域可因外界的声能作用而产生对应形变,及

一气隙单元,具有一以导体材料构成的第二电极层,及一定义形成于该第二电极层上的强固层,该第二电极层与该强固层并共同形成一自该种晶区域向相反于该第一电极层方向延伸的气隙壁,及一具有一音孔图像的背板,该背板、气隙壁与该振膜层的振膜区域共同界定一以该音孔图像供气流流动的气隙。

2. 如权利要求1所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该麦克风芯片是先在一基板上依序定义形成一脱离层及该第一电极层与振膜层,再于该振膜层上形成一遮覆该振膜层的振膜区域且使种晶区域裸露的牺牲层,接着在该牺牲层与该振膜层的种晶区域上对应该牺牲层与该种晶区域的态样依序定义出对应该振膜区域形成该音孔图像的第二电极层及强固层,最后自该牺牲层对应该音孔图像的区域的裸露处蚀刻移除该牺牲层,以及蚀刻移除该脱离层使该振膜与基板相分离后而制得。

3. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该第一、二电极层分别是选自下列所构成的群组为材料定义形成:铬、金、钽、铂、铝、钯、钨、铜、镍,及此等的组合。

4. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该振膜层是选自下列所构成的群组为材料定义形成:聚亚酰胺、氮化硅、氧化硅、金属,及此等的组合。

5. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该强固层是以电镀方式形成于该第二电极层上,且选自由下列所构成的群组为材料定义形成:镍、铜、钴、铁,及此等的组合。

6. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该强固层是选自由下列所构成的群组为材料定义形成:压克力、聚亚酰胺,及此等的组合。

7. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该脱离层是选自由下列所构成的群组为材料定义形成:铝、氧化物、高分子材料,及此等的组合。

8. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该振膜层的振膜区域的截面成平板态样。

9. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该振膜层的振膜区域的截面成凹凸皱折态样。

10. 如权利要求2所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该牺牲层是选自由下列所构成的群组为材料定义形成:二氧化硅、铝、高分子材料,及此等的组合。

11. 如权利要求2或10所述的电容式微型麦克风的麦克风芯片,其特征在于:该牺牲层是以电浆辅助化学气相沉积制得。

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