[发明专利]具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层

权利要求书

1. 一种具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，包括有：

一基板；

一第十五层，设置在该基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间；

一第十四层，设置在该第十五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第十三层，设置在该第十四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第十二层，设置在该第十三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第十一层，设置在该第十二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第十层，设置在该第十一层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第九层，设置在该第十层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第八层，设置在该第九层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第七层，设置在该第八层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第六层，设置在该第七层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第五层，设置在该第六层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第四层，设置在该第五层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；

一第三层，设置在该第四层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于30nm和80nm间；

一第二层，设置在该第三层上，其由一低折射率的金属物质所构成，物理厚度介于8nm和12nm间；以及

一第一层，设置在该第二层上，其由一高折射率的氧化物所构成，物理厚度介于20nm和40nm间；

其中该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层由SnO:Sb所构成，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层由银所构成，该第十五层由TiO₂所构成。

2. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该基板是一塑料薄膜。

3. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该基板是一玻璃。

4. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层的氧化物的折射率介于1.9与2.2之间，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质的折射率介于0.1与0.5之间，该第十五层的氧化物之折射率介于2.2与2.4之间。

5. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该第一层、第三层、第五层、第七层、第九层、第十一层和第十三层的氧化物由直流或脉冲直流磁电管溅射法所形成，该第二层、第四层、第六层、第八层、第十层、第十二层和第十四层的金属物质由直流或脉冲直流磁电管溅射法所形成，该第十五层的氧化物由交流反应式溅射法所形成。

6. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该第一层至第十五层由同轴或滚子对滚子真空系统的蒸发或溅射工艺所形成。

7. 如权利要求1所述的具低电阻功能和以可穿透的导电层为最外层的抗反射涂层，其特征在于，该涂层为等离子显示器或液晶显示器的基本涂层。