[发明专利]半穿透半反射式像素结构

权利要求书

1. 一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：

一栅极层，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖住该栅极层；

一沟道层，配置于该栅绝缘层上，且该沟道层位于该栅极层的上方；

一半穿透导电层，配置于该沟道层的部份区域以及该栅绝缘层的部分区域上，其中该半穿透导电层包括一源极、一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜；

一保护层，配置于该半穿透导电层以及部份该沟道层上；以及

一第二半穿透膜，配置于该保护层的部份区域上，其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。

2. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该半穿透导电层的材质包括银或银合金。

3. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第一半穿透膜与该第二半穿透膜的厚度分别是介于10～60纳米之间。

4. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第二半穿透膜包括一导电层。

5. 如权利要求4所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该导电层的材质包括银或银合金。

6. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，还包括一电容下电极，配置于该基板上，其中该电容下电极与该第一半穿透膜构成一存储电容。

7. 如权利要求1所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质包括介电材料。

8. 如权利要求7所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为二氧化硅。

9. 如权利要求8所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于120～145纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色，且该保护层的厚度为介于145～190纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

10. 如权利要求7所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的材质为氮化硅。

11. 如权利要求10所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该保护层的厚度为介于5～70纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现蓝色；而该保护层的厚度为介于70～95纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现绿色；且该保护层的厚度为介于95～120纳米时，可使光线经过该半穿透半反射式像素结构之后，呈现红色。

12. 一种半穿透半反射式像素结构，适于配置于一基板上，该半穿透半反射式像素结构包括：

一栅极层，配置于该基板上；

一栅绝缘层，配置于该基板上，并且该栅绝缘层覆盖于该栅极层上；

一沟道层，配置于该栅绝缘层上，且该沟道层位于该栅极层之上方；

一金属层，配置于该沟道层的部分区域上，其中该金属层包括一源极以及一数据配线；

一半穿透导电层，配置于该沟道层的以及该栅绝缘层的部分区域上，其中该半穿透导电层包括一漏极以及与该漏极连接的一第一半穿透膜，并且该半穿透导电层与该金属层分别对应于该栅极层的两侧；

一保护层，配置于该金属层、该半穿透导电层以及该沟道层的部份区域上；以及

一第二半穿透膜，配置于该保护层的部份区域上，其中该第二半穿透膜位于该第一半穿透膜上方。

13. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该金属层的材质包括铝、钼或是铝钼合金。

14. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该半穿透导电层的材质包括银或是银合金。

15. 如权利要求12所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该第二半穿透膜包括一导电层。

16. 如权利要求15所述的半穿透半反射式像素结构，其特征在于，该导电层还包括一辅助数据配线，配置于该保护层的部份区域上，并且该辅助数据配线位于该金属层上方。