[发明专利]位线上电容器及其下电极的制造方法

权利要求书

1. 一种电容器下电极的制造方法，包括：

提供基底，至少具有有源区与环绕该有源区的隔离区；

于该基底上形成多条字线横越该有源区；

于该些字线之间形成多个接地插塞接触窗(landing plug contact，LPC)；

同时在该有源区上的该接地插塞接触窗上形成至少一电容端下接触窗(lower contact)以及在该隔离区上的该接地插塞接触窗上形成至少一位线接触窗；

同时在每个电容端下接触窗上形成电容端上接触窗(upper contact)以及在该位线接触窗上形成位线；

于该基底表面形成内层介电层，以覆盖该位线与该电容端上接触窗；

在该内层介电层中形成电容器开口，其中该电容器开口露出该电容端上接触窗；以及

在该电容器开口的表面形成导电层。

2. 如权利要求1所述的电容器下电极的制造方法，其中形成该些接地插塞接触窗的步骤包括：

于该基底表面沉积第一介电层，以覆盖该些字线；

移除该有源区与部分该隔离区上的该第一介电层；

于该基底上全面地覆盖第一金属层；以及

平坦化该第一金属层，以露出该第一介电层顶面。

3. 如权利要求2所述的电容器下电极的制造方法，其中同时形成该电容端下接触窗及该位线接触窗的步骤包括：

于该基底表面沉积第二介电层，以覆盖该些字线.该些接地插塞接触窗和该第一介电层；

利用光刻蚀刻工艺，在该第二介电层中形成多个第一开口，其中该些第一开口分别露出该有源区及该隔离区上的该接地插塞接触窗；以及

于该些第一开口中分别形成第一金属插塞。

4. 如权利要求3所述的电容器下电极的制造方法，其中于该些第一开口中分别形成各该第一金属插塞的步骤包括：

于每一第一开口表面沉积第一阻障层；以及

于每一第一开口中填入第二金属层。

5. 如权利要求3所述的电容器下电极的制造方法，其中同时形成该电容端上接触窗以及该位线的步骤包括：

于该基底表面沉积第三介电层，以覆盖该电容端下接触窗、该位线接触窗和该第二介电层；

利用光刻蚀刻工艺，在该第三介电层中形成多个第二开口和多条沟槽，以分别露出该电容端下接触窗与该位线接触窗；以及

于该些第二开口和该些沟槽中分别形成第二金属插塞。

6. 如权利要求5所述的电容器下电极的制造方法，其中形成该第二金属插塞的步骤包括：

于每一第二开口和每一沟槽表面形成第二阻障层；以及

在每一第二开口和每一沟槽中填入第三金属层。

7. 如权利要求5所述的电容器下电极的制造方法，其中同时形成该电容端上接触窗以及该位线之后，还包括：

回蚀刻该第二金属插塞，以于每一第二开口和沟槽内形成凹陷部；

在该第三介电层表面与该凹陷部表面形成保护层；以及

去除该第二金属插塞顶面的该保护层，并保留该凹陷部侧面的该保护层。

8. 如权利要求7所述的电容器下电极的制造方法，其中形成该保护层的方法包括等离子体化学气相沉积。

9. 如权利要求1所述的电容器下电极的制造方法，其中于该基底表面形成该内层介电层的步骤包括：

于该基底表面形成磷硅玻璃层，以覆盖该位线与各该电容端顶接触窗；以及

于该磷硅玻璃层上形成以四乙基正硅酸盐(TEOS)为沉积气体源的氧化物层。

10. 如权利要求1所述的电容器下电极的制造方法，其中在该内层介电层中形成该电容器开口的步骤包括：

于该内层介电层上形成多晶硅层；以及

以该多晶硅层作为硬掩模，蚀刻该内层介电层，直到露出该电容端上接触窗。