[发明专利]半导体存储设备及其方法

权利要求书

1.一种半导体存储设备，包括：

多个输入/输出端口，用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号；

存储阵列，其包括通过多个输入/输出端口中的至少两个端口可存取的共享存储区域，所述存储阵列划分为多个不同的存储区域；以及

授权控制块，用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限，其中所述授权控制块产生授权控制信号，其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述第一模式是自动刷新模式，而所述第二模式是自我刷新模式。

3.如权利要求1所述的设备，其中所述半导体存储设备是具有第一和第二输入/输出端口的双端口半导体存储设备。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述存储阵列包括：

只能通过所述第一输入/输出端口存取的存储区域；

只能通过所述第二输入/输出端口存取的存储区域；

能通过所述第一和第二输入/输出端口存取的存储区域。

5.如权利要求1所述的设备，其中所述授权控制块产生所述授权控制信号，用于在通过具有所述存取权限的输入/输出端口以所述第二模式执行刷新操作时，优先于所述外部命令信号，将存取所述共享存储区域的存取权限分配给另一个输入/输出端口，通过所述另一个输入/输出端口以所述第一模式执行刷新操作。

6.如权利要求5所述的设备，该半导体存储设备包括：

第一选择单元，用来对通过所述第一输入/输出端口和所述第二输入/输出端口输入的命令信号存取所述共享存储区域进行仲裁；以及

第二选择单元，用来对通过所述第一输入/输出端口和所述第二输入/输出端口输入的命令信号存取所述共享存储区域进行仲裁，并在所述刷新操作中发送单独的刷新地址到所述共享存储区域。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述第一选择单元响应于所述授权控制信号而操作，而所述第二选择单元响应于所述授权控制信号和所述刷新操作信号而操作。

8.一种半导体存储设备，包括：

存储阵列，划分为不同的第一、第二和第三存储区域；以及

刷新控制电路，用来响应于单独输入的刷新命令信号控制以第一或第二模式刷新所述第一和第二存储区域，并在所述第一存储区域和所述第二存储区域中的至少一个以所述第一模式刷新时，控制以所述第一模式刷新所述第三存储区域，否则以所述第二模式刷新所述第三存储区域。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述半导体存储设备是具有第一和第二输入/输出端口的双端口半导体存储设备。

10.如权利要求9所述的设备，其中可只通过所述第一输入/输出端口存取所述第一存储区域；

只能通过所述第二输入/输出端口存取所述第二存储区域；以及

能通过所述第一和第二输入/输出端口存取所述第三存储区域。

11.如权利要求8所述的设备，其中所述第一模式是自动刷新模式，所述第二模式是自我刷新模式。

12.如权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制电路进一步包括仅用于刷新所述第三存储区域的单独的刷新计数器。

13.一种方法，用于在具有至少一个通过至少两个输入/输出端口可存取的共享存储区域的多端口半导体存储设备中，分配存取所述共享存储区域的存取权限，该方法包括：

响应于外部命令信号，将存取所述共享存储区域的存取权限分配到特定的输入/输出端口；以及

当通过具有存取所述共享存储区域的存取权限的输入/输出端口输入用来以所述第二模式刷新的命令信号时，优先于外部命令信号，将存取所述共享存储区域的存取权限改分配给另一个输入/输出端口，通过所述另一个输入/输出端口以所述第一模式执行刷新。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一模式是自动刷新模式，所述第二模式是自我刷新模式。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述半导体存储设备是具有第一和第二输入/输出端口的双端口半导体存储设备。