[发明专利]发光二极管无效
申请号: | 200710088093.8 | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101276861A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 李崇华 | 申请(专利权)人: | 李崇华 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
技术领域
本发明是关于一种发光二极管,尤指一种具有较长的发光寿命、较佳的发光效率与较稳定的发光亮度的发光二极管。
背景技术
发光二极管(LED)目前已经广泛地被应用于各个领域中,如背光模块、照明灯具以及显示灯号等。但是,由于发光二极管发光时所产生的热能往往无法顺利移除,其温度便随着使用时间的增加而逐渐升高,造成其发光效能及发光亮度逐渐地退化。为此,业界无不竭力发展各种移除热能的方式,如各种主动式散热装置及被动式散热装置,希望能有效地导出累积于发光二极管内部的热能,以延长其发光寿命、增加其发光效率及提升其发光亮度的稳定度。
如图1所示,已知的发光二极管1包括:一基板11;一设置于基板11的表面的第一半导体层12;一设置于第一半导体层12的表面的活性层13;一设置于活性层13的表面的第二半导体层14,且第二半导体层14与第一半导体层12将活性层13夹置于两者之间;一电连接于基板11的第一电接触部15;以及一电连接于第二半导体层14的第二电接触部16。
再如图1所示,已知的发光二极管1还设置有一外部回路17,其是电连接于第一电接触部15及第二电接触部16,以将一来自外界的驱动电流经由第一电接触部15及第二电接触部16输入至已知的发光二极管1,供已知的发光二极管1运作所需。
但如前所述,当已知的发光二极管1运作时,其活性层13产生光线并同时产生可观的热能,且这些热能因无法顺利排出而逐渐累积于已知的发光二极管1的内部,造成已知的发光二极管1的温度逐渐升高。等到热能累积到一定程度以后,已知的发光二极管1的发光结构便逐渐地被破坏,造成已知的发光二极管1的发光亮度逐渐地降低,最终无法再发出任何光线。
因此,业界需要一种可在长时间运作后,其的温度仍可保持于一正常的范围内的发光二极管,以使此发光二极管具有较长的发光寿命、较佳的发光效率及较稳定的发光亮度。
发明内容
本发明的主要目的是在提供一种发光二极管,使其能延长发光二极管的发光寿命。
本发明的另一目的是在提供一种发光二极管,使其能增进发光二极管的发光效率及提升发光亮度的稳定度。
为达成上述目的,本发明的发光二极管,是包括:一基板;一导热层,是设置于此基板的表面并具有一开口;一第一半导体层,是设置于此导热层的部分表面,且此第一半导体层并由此一开口而与此基板连接;一活性层,是设置于此第一半导体层的表面;一第二半导体层,是设置于此活性层的表面,且此第二半导体层与此第一半导体层将此活性层夹置于两者之间;一散热膜层,是设置于此导热层的未被此第一半导体层覆盖的部分的表面;一绝缘层,是形成于导热层的未被此第一半导体层与此散热膜层覆盖的部分的表面;一第一电接触部,是电连接于此基板;以及一第二电接触部,是电连接于此第二半导体层。
为达成上述目的,本发明的发光二极管,是包括:一基板;一第一半导体层,是设置于此基板的表面;一导热层,是设置于此第一半导体层的表面并具有一开口;一活性层,是设置于此导热层的部分表面,此活性层并由此开口而与此第一半导体层连接;一第二半导体层,是设置于此活性层的表面,且此第二半导体层与此第一半导体层将此活性层夹置于两者之间;一散热膜层,是设置于此导热层的未被此活性层覆盖的部分的表面;一绝缘层,是形成于导热层的未被此活性层与此散热膜层覆盖的部分的表面;一第一电接触部,是电连接于此第一半导体层;以及一第二电接触部,是电连接于此第二半导体层。
因此,当本发明的发光二极管运作时,将本发明的发光二极管可将其活性层所产生的热能利用其导热层从其“内部”导引出来并传导至外界,再由其散热膜层将此热能转换为所谓的“热电流”。最后,此“热电流”便由分别与本发明的发光二极管的散热膜层与第一电接触部电连接的电子收集回路被传导至其第一电接触部。如此,本发明的发光二极管可将其运作时所产生的热能回收再利用而再次应用于驱动本发明的发光二极管发光。所以,即使在长期运作后,本发明的发光二极管的温度仍可保持于一正常的范围内而不会发生过热现象,其发光结构便不会因为过热现象的发生而被破坏,使得其发光寿命可进一步延长,其发光效率亦可进一步提升,而其发光亮度也更佳稳定。此外,由于本发明的发光二极管可由目前业界所使用的各种制程机台制作而成,所以本发明的发光二极管的制程与现有发光二极管的制程具有极大的兼容性,且可广泛地应用于各种无机或有机的发光二极管中。
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