[发明专利]熔断后不会造成非线性电流的反熔丝及存储单元

权利要求书

1. 一种熔断后不会造成非线性电流的反熔丝，包含：

基底；

介电层，形成于该基底上；

传导层，形成于该介电层上；

一个第一掺杂区，形成于该介电层下方的基底中；

两个第二掺杂区，形成于该基底中，位于该第一掺杂区的两侧，该两个第二掺杂区之上方未被该介电层覆盖；以及

导线，耦接该两个第二掺杂区。

2. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该第一掺杂区由该基底表面注入，具有第一深度，该第二掺杂区由该基底表面注入，具有大于该第一深度的第二深度。

3. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该第一掺杂区的浓度小于该第二掺杂区的浓度。

4. 如权利要求1所述的反熔丝，其另包含绝缘层，覆盖于该基底以及该传导层的表面，该导线通过接触窗耦接该两个第二掺杂区。

5. 如权利要求4所述的反熔丝，其中该绝缘层为二氧化硅。

6. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该第一掺杂区以及该两个第二掺杂区为n型掺杂区，该基底为p型基底。

7. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该第一掺杂区以及该两个第二掺杂区为p型掺杂区，该基底为n型基底。

8. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该传导层为多晶硅。

9. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该介电层为二氧化硅。

10. 如权利要求1所述的反熔丝，其中该导线为金属线。

11. 一种使用反熔丝的一次式编程存储器的存储单元，包含：

反熔丝，由具有掺杂载流子的沟道的晶体管形成，该晶体管的栅极为该反熔丝的第一端，该晶体管的源极与漏极相耦接为该反熔丝的第二端；

p型晶体管，该p型晶体管的漏极耦接于该反熔丝的第一端；以及

n型晶体管，该n型晶体管的漏极耦接于该反熔丝的第一端。

12. 如权利要求11所述的存储单元，其中该反熔丝、该p型晶体管以及该n型晶体管为互补型金属氧化物半导体晶体管。

13. 如权利要求11所述的存储单元，其中该具有掺杂载流子的沟道的晶体管为具有掺杂p型载流子的沟道的晶体管。

14. 如权利要求13所述的存储单元，其中该反熔丝的第二端耦接于高电压端。

15. 如权利要求11所述的存储单元，其中该具有掺杂载流子的沟道的晶体管为具有掺杂n型载流子的沟道的晶体管。

16. 如权利要求15所述的存储单元，其中该反熔丝的第二端耦接于接地端。