[发明专利]太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片及制作方法

权利要求书

1.一种太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，包含：

一基板；

一太阳能元件，其设于该基板上；及

一发光元件，其设于该基板上，并与该太阳能元件相隔一距离。

2.如权利要求1所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该基板的材质为砷化镓或氮化镓。

3.如权利要求1所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该太阳能元件为一单接面太阳能电池或一多接面太阳能电池。

4.如权利要求1所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该发光元件为一激光二极管。

5.如权利要求4所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该激光二极管为一侧面发光激光二极管或一垂直面射型激光二极管。

6.如权利要求1所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该发光元件为一发光二极管。

7.如权利要求6所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该发光二极管为一红光发光二极管或一蓝光发光二极管或一绿光发光二极管或一白光发光二极管。

8.如权利要求1所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，其中该发光元件构成的结构为单异质结构、双异质结构或量子井结构。

9.一种太阳能照明器，应用如权利要求1所述的具有太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片，包含：

具有该太阳能元件与该发光元件构成的该单芯片型光芯片；及

一可充电电池，其电性连接于该太阳能元件与该发光元件，其中，该可充电电池由该太阳能元件充电，且该可充电电池供给该发光元件电能。

10.一种太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其步骤包含：

一初始步骤，提供一基板；

一第一覆盖步骤，覆盖一第一绝缘层于该基板上并形成一第一暴露区域；

一第一元件制作步骤，以一磊晶方法与一显影蚀刻方法于该第一暴露区域制作一第一元件；

一第一蚀刻步骤，回蚀该第一绝缘层；

一第二覆盖步骤，覆盖一第二绝缘层于该基板上与该第一元件的表面，并于该基板上形成一第二暴露区域；

一第二元件制作步骤，以该磊晶方法与该显影蚀刻方法于该第二暴露区域制作一第二元件；及

一第二蚀刻步骤，回蚀该第二绝缘层，其中，该第一元件为该太阳能元件或该发光元件，且该第二元件为对应的该发光元件或该太阳能元件。

11.如权利要求10所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该基板的材质为砷化镓或氮化镓。

12.如权利要求10所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该第一绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。

13.如权利要求10所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该第二绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。

14.一种太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其步骤包含：

提供一基板；

覆盖一第一绝缘层于该基板上并形成一第一暴露区域；

以一磊晶方法与一显影蚀刻方法于该第一暴露区域制作一发光元件；

回蚀该第一绝缘层；

覆盖一第二绝缘层于该基板上与该发光元件构成的表面，并于该基板上形成一第二暴露区域；

以该磊晶方法与该显影蚀刻方法于该第二暴露区域制作一太阳能元件；及

回蚀该第二绝缘层。

15.如权利要求14所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该基板的材质为砷化镓或氮化镓。

16.如权利要求14所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该第一绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。

17.如权利要求14所述的太阳能元件与发光元件构成的单芯片型光芯片的制作方法，其中该第二绝缘层的材质为氧化硅或氮化硅。