[发明专利]耐光底漆组合物、发光半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710088636.6 申请日: 2007-03-16
公开(公告)号: CN101067068A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 有马一弥;今泽克之;柏木努;儿玉欣也 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16;C09D5/12;H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王颖煜;段晓玲
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 底漆 组合 发光 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种底漆组合物,其包含:

(A)至少一种由如下所示的通式(1)表示的硅烷化合物和/或其部分 水解-缩合产物:

R1XR2YSi(R3)4-X-Y    (1)

其中,R1和R2各自独立地表示氢原子或可以含一个或多个反应性取代 基的1-30个碳原子的烷基,R3表示氯原子、羟基、1-30个碳原子 的未取代或取代的烷氧基或1-30个碳原子的未取代或取代的芳氧基, X表示1-2的整数,Y表示0-1的整数,X+Y表示整数1或2,

(B)三(仲丁氧基)铝,和

(C)有机溶剂。

2.根据权利要求1的底漆组合物,其中组分(A)/组分(B)的 质量比不大于1。

3.一种制造发光半导体器件的方法,包括如下步骤:将权利要求 1-2任一项中定义的底漆组合物涂覆到安装在预制管壳之上的发光半 导体元件的表面上,随后进行干燥,从而形成覆盖所述发光半导体元 件的所述表面的底漆组合物层;和将可加成反应固化的有机硅树脂涂 覆到所述底漆组合物层上,从而用覆盖成型树脂密封所述元件。

4.根据权利要求3的制造发光半导体器件的方法,其中当在所述 发光半导体元件的所述表面上形成的所述底漆组合物层内所含的由所 述通式(1)表示的所述硅烷化合物之内的所述R3基团的反应速率为 50-90%时,进行使用所述可加成反应固化的有机硅树脂的覆盖成型 树脂密封。

5.一种发光半导体器件,使用权利要求3或4中定义的方法制造。

6.根据权利要求1的底漆组合物,其用于制造发光半导体器件的 方法中,并在涂敷可加成反应固化的有机硅树脂之前涂覆。

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