[发明专利]用于制造球栅阵列器件的方法和球栅阵列器件无效
申请号: | 200710088756.6 | 申请日: | 2007-03-22 |
公开(公告)号: | CN101051618A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | S·G·朴 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 原绍辉;谭祐祥 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 阵列 器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括:
提供具有芯片的半导体晶片,每个芯片具有带有第一接触盘的起作用的侧;
用保护层覆盖起作用的侧;
从第一接触盘移除保护层;
为第一接触盘提供连接元件;及
将晶片切成块为半导体器件。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括将半导体器件安装到外部组件上,该安装包括:
提供包括具有成对应第一接触盘的图案的图案的第二接触盘的上部表面的外部组件;
对准管芯,使得提供有连接元件的第一接触盘与第二接触盘对准;及
将管芯安装到外部组件上,使得第一接触盘与第二接触盘电接触。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,为第一接触盘提供连接元件包括为第一接触盘提供焊球,该方法还包括:
在对准管芯之前为第二接触盘提供焊膏,使得通过由回流焊球焊接第一和第二接触盘将管芯安装到外部组件上。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,用保护层覆盖起作用的侧包括用阻焊剂覆盖起作用的侧。
5.根据权利要求3所述的方法,还包括为外部组件的上部表面提供没有覆盖第二接触盘的阻焊剂层。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,用保护层覆盖起作用的侧包括用预浸渍材料覆盖起作用的侧。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括用背部侧涂层覆盖晶片的背部侧。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在将晶片切成块之前,晶片的背部侧覆盖有背部侧涂层。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,在将晶片切成块之后,晶片的背部侧覆盖有背部侧涂层。
10.根据权利要求7所述的方法,其中,晶片的背部侧覆盖有聚酰胺。
11.根据权利要求7所述的方法,其中,覆盖晶片的背部侧包括通过印刷用可印刷的材料覆盖背部侧。
12.根据权利要求7所述的方法,其中,覆盖晶片的背部侧包括通过喷射用可喷射的材料覆盖背部侧。
13.根据权利要求1所述的方法,还包括将第一接触盘形成为管芯的起作用的侧和保护层之间的再分布层的部分和将第二保护层提供在再分布层和管芯之间。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,第二保护层包括聚酰胺材料。
15.一种半导体器件,其包括:
具有提供有第一接触盘的起作用的侧的管芯;
在管芯的起作用的侧之上的保护层,该保护层具有在第一接触盘的区域内的窗口;及
设置在窗口内并且与第一接触盘电接触的连接元件。
16.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,连接元件包括焊球。
17.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,保护层包括阻焊剂。
18.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,保护层包括聚酰胺。
19.根据权利要求15所述的半导体器件,还包括设置在管芯的起作用的侧和保护层之间的再分布层,其中,第一接触盘为再分布层的一部分。
20.根据权利要求19所述的半导体器件,还包括设置在再分布层和管芯之间的第二保护层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造