[发明专利]制造底栅型薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，该方法包括：

在基板上形成底栅电极；

在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；

在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；

构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；

利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及

晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述栅极绝缘层上形成多晶半导体层从而覆盖所述多晶沟道区；

在所述多晶半导体层上形成N型半导体层；

在所述N型半导体层上形成电极层；以及

顺序蚀刻形成在所述多晶沟道区上的电极层部分、N型半导体层部分和多晶半导体层部分，从而形成源区和漏区。

3.根据权利要求1的方法，其中所述非晶半导体层由Si或SiGe形成。

4.根据权利要求1的方法，其中所述非晶半导体层形成为具有500至1000范围的厚度。

5.根据权利要求1的方法，其中所述非晶沟道区形成为具有2至5μm范围的长度。

6.根据权利要求2的方法，其中所述多晶半导体层由多晶硅形成。

7.根据权利要求2的方法，其中所述N型半导体层由掺杂以N型杂质的非晶硅或掺杂以N型杂质的多晶硅形成。

8.根据权利要求1的方法，其中所述激光退火方法中使用的激光能量控制在700至1000mJ/cm²的范围。

9.根据权利要求1的方法，其中所述栅极绝缘层由SiO₂或SiN形成。

10.根据权利要求1的方法，其中所述栅电极由选自Al、Cr、Cu和Mo构成的组的任何一种形成。

11.根据权利要求2的方法，其中所述栅电极由选自Al、Cr、Cu和Mo构成的组的任何一种形成。

12.根据权利要求1的方法，其中所述非晶半导体层利用紫外光刻方法构图。

13.根据权利要求12的方法，其中所述基板是由玻璃或塑料形成的透明基板。

14.根据权利要求13的方法，其中利用所述栅电极构成掩模，紫外光照射进所述透明基板中从而到达所述非晶半导体层。

15.一种底栅型薄膜晶体管TFT，其利用权利要求1的方法制造。