[发明专利]半导体装置

权利要求书

1、一种半导体装置，其中包括：

基板；

第一栅电极；

第二栅电极；

第一沟道区域，位于所述基板和所述第一栅电极之间；

第二沟道区域，位于所述基板和所述第二栅电极之间；

栅极绝缘膜，至少位于所述第一沟道区域和所述第一栅电极之间、以及所述第二沟道区域和所述第二栅电极之间；

第一导电部、第二导电部以及第三导电部，位于所述基板和所述栅极绝缘膜之间；和

中间电极，与所述第二栅电极电连接，且与所述第一栅电极的一部分重叠，

所述第一沟道区域位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第二沟道区域位于所述第二导电部和所述第三导电部之间。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电部和所述第二导电部的最短距离，比所述第二导电部和所述第三导电部的最短距离大。

3、根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间电极是岛状的金属膜。

4、根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有层间绝缘膜，其至少位于所述第一栅电极和所述中间电极之间、以及所述第二栅电极和所述中间电极之间，所述第二栅电极和所述中间电极通过形成于所述层间绝缘膜的接触插头而电连接，所述第一栅电极和所述中间电极通过所述层间绝缘膜而形成电容器。

5、根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二栅电极和所述中间电极通过形成于所述栅极绝缘膜的接触插头而电连接，所述第一栅电极和所述中间电极通过所述栅极绝缘膜而形成电容器。

6、根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟道区域以及所述第二沟道区域含有无机半导体材料，所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部各自含有杂质和所述无机半导体材料。

7、根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟道区域以及所述第二沟道区域含有有机半导体材料，所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部各自含有导电性有机材料。

8、根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一沟道区域以及所述第二沟道区域含有有机半导体材料，所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部各自含有金属。

9、一种半导体装置，其中包括：

基板；

第一栅电极；

第二栅电极；

第一沟道区域，位于所述基板和所述第一栅电极之间；

第二沟道区域，位于所述基板和所述第二栅电极之间；

栅极绝缘膜，至少位于所述第一沟道区域和所述第一栅电极之间、以及所述第二沟道区域和所述第二栅电极之间；

第一导电部、第二导电部以及第三导电部，位于所述基板和所述栅极绝缘膜之间；和

中间电极，与所述第一栅电极的一部分重叠，且与所述第二栅电极的一部分重叠，

所述第一沟道区域位于所述第一导电部和所述第二导电部之间，所述第二沟道区域位于所述第二导电部和所述第三导电部之间。

10、根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电部和所述第二导电部的最短距离，比所述第二导电部和所述第三导电部的最短距离大。

11、根据权利要求9或10所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间电极是岛状的金属膜。

12、根据权利要求9～11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有层间绝缘膜，其至少位于所述第一栅电极和所述中间电极之间、以及所述第二栅电极和所述中间电极之间，所述第一栅电极的一部分和所述中间电极通过所述层间绝缘膜形成第一电容器，所述第二栅电极的一部分和所述中间电极通过所述层间绝缘膜形成第二电容器。

13、根据权利要求9～11中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一栅电极的一部分和所述中间电极通过所述栅极绝缘膜形成第一电容器，所述第二栅电极的一部分和所述中间电极通过所述栅极绝缘膜形成第二电容器。