[发明专利]用于溅射靶的PTF测量自动化的方法和装置无效
申请号: | 200710089497.9 | 申请日: | 2007-03-26 |
公开(公告)号: | CN101187648A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
发明(设计)人: | R·D·罗杰 | 申请(专利权)人: | 贺利氏有限公司 |
主分类号: | G01N27/82 | 分类号: | G01N27/82;G01N27/72 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 溅射 ptf 测量 自动化 方法 装置 | ||
1.一种用于确定溅射靶的穿过通量的装置,包括:
(a)磁源,其产生通过所述溅射靶的磁场;
(b)磁场检测器,其被配置成测量所述磁场;和
(c)自动化台,其被配置成移动所述溅射靶或所述磁场检测器或其两者。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括与所述磁场检测器进行数据通信的处理器,该处理器被配置成使用所述磁场检测器在所述溅射靶上的至少一个位置的至少一个测量结果,确定所述溅射靶的穿过通量。
3.根据权利要求2所述的装置,其中所述处理器被配置成生成所述溅射靶的穿过通量图。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述处理器被配置成确定所述溅射靶的平均高斯值、所述溅射靶的高斯值范围、所述溅射靶的最小高斯值、溅射靶的最大高斯值、或平均PTF百分比中的至少一个或它们的任意组合。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述处理器被配置成生成所述溅射靶的图,其中所述图标识大于或小于在所述溅射靶上至少一个位置的所述平均高斯值或平均PTF百分比的所述溅射靶的预定百分比范围。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述磁源位于所述溅射靶的下面。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述磁源安装在可旋转底座上。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述自动化台被配置成使所述溅射靶旋转。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述自动化台使所述溅射靶旋转到至少一个预定位置,并且其中处理器与所述磁场检测器进行数据通信,并被配置成使用所述磁场检测器在处于所述至少一个预定位置上的所述溅射靶上至少一个位置的至少一个测量结果,确定所述溅射靶的所述穿过通量。
10.根据权利要求8所述的装置,其中用所述自动化台的靶台上方至少两个惰轮和一个驱动轮,所述自动化台使所述溅射靶保持转动。
11.根据权利要求1所述的装置,其中与所述自动化台进行数据通信的处理器被配置成移动所述溅射靶或所述磁场检测器中的一个或其两者。
12.一种用于确定溅射靶的穿过通量的方法,包括:
(a)在所述溅射靶的第一侧产生磁场,并使所述磁场通过所述溅射靶,并穿出所述溅射靶的第二侧;
(b)用磁场检测器测量在所述溅射靶的所述第二侧的所述磁场;以及
(c)在使用自动化台的所述测量过程中,移动所述溅射靶或所述磁场检测器中的一个或其两者。
13.根据权利要求12所述的方法,用与所述磁场检测器进行数据通信的处理器,使用所述磁场检测器在所述溅射靶上的至少一个位置的至少一个测量结果,确定所述溅射靶的所述穿过通量。
14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括使用所述处理器生成所述溅射靶的穿过通量图。
15.根据权利要求13所述的方法,进一步包括确定所述溅射靶的平均高斯值、所述溅射靶的高斯值范围、所述溅射靶的最小高斯值、溅射靶的最大高斯值、或平均PTF百分比中的至少一个或它们的任意组合。
16.根据权利要求15所述的方法,进一步包括使用所述处理器,生成所述溅射靶的图,其中所述图标识大于或小于在所述溅射靶上至少一个位置的所述平均高斯值或平均PTF百分比的所述溅射靶的预定百分比范围。
17.根据权利要求12所述的方法,所述磁源位于所述溅射靶的下面。
18.根据权利要求12所述的方法,其中所述磁源安装在可旋转的底座上。
19.根据权利要求12所述的方法,其中所述自动化台被配置成使所述溅射靶旋转。
20.根据权利要求19所述的方法,进一步包括使用所述自动化台,使所述溅射靶旋转到至少一个预定位置,并且用所述处理器,使用所述磁场检测器在处于所述至少一个预定位置上的所述溅射靶上至少一个位置的至少一个测量结果,确定所述溅射靶的所述穿过通量。
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