[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1. 一种发光二极管，至少包括：

一导电基板，具有相对的一第一表面以及一第二表面；

一反射结构，至少包括：

一金属或合金反射层，接合在该导电基板的该第一表面上；以及

一导电分散式布拉格反射结构，叠设在该导电反射层上；

一发光磊晶结构，设于该反射结构上；

一第一电极，设于部分的该发光磊晶结构上；以及

一第二电极，接合于该导电基板的该第二表面。

2. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电基板的材料是选自于由硅以及金属所组成的一族群。

3. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还至少包括一导电接合层介于该导电基板与该导电反射层之间，以接合该导电基板与该导电反射层。

4. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电分散式布拉格反射结构是一多层堆叠结构，且该多层堆叠结构至少包括交互堆叠的多个低折射系数透明导电层以及多个高折射系数透明导电层。

5. 如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电分散式布拉格反射结构的材料是选自于由氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铜铝、氧化铜镓以及氧化锶铜所组成的一族群。

6. 一种发光二极管，至少包括：

一透明基板；

一发光磊晶结构，至少包括：

一第一电性半导体层，位于该透明基板上；

一主动层，位于该第一电性半导体层的一第一部分上，并暴露出该第一电性半导体层一第二部分；以及

一第二电性半导体层，位于该主动层上，其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层具有不同电性；

一反射结构，至少包括：

一导电分散式布拉格反射结构，设于该第二电性半导体层上；以及

一金属或合金反射层，叠设在该导电分散式布拉格反射结构上；

一第二电性电极，设于该反射结构上；以及

一第一电性电极，设于该第一电性半导体层的该第二部分上。

7. 如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该透明基板的材料是选自于由蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氧化镁、氮化铝以及氮化镓所组成的一族群。

8. 如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该导电分散式布拉格反射结构是一多层堆叠结构，且该多层堆叠结构至少包括交互堆叠的多个低折射系数透明导电层以及多个高折射系数透明导电层。

9. 如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，该导电分散式布拉格反射结构的材料是选自于由氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铜铝、氧化铜镓以及氧化锶铜所组成的一族群。

10. 一种发光二极管的制造方法，至少包括：

提供一成长基板；

形成一发光磊晶结构于该成长基板上；

形成一反射结构于该发光磊晶结构上，其中该反射结构至少包括：

一导电分散式布拉格反射结构，位于该发光磊晶结构上；以及

一导电反射层，位于该导电分散式布拉格反射结构上；

接合一导电基板与该导电反射层，其中该导电基板具有相对的一第一表面与一第二表面，且该导电基板的该第一表面与该导电反射层接合；

移除该成长基板，以暴露出该发光磊晶结构；以及

形成一第一电极与一第二电极分别位于部分的该发光磊晶结构与该导电基板的该第二表面。

11. 一种发光二极管的制造方法，至少包括：

提供一透明基板；

形成一发光磊晶结构于该透明基板上，其中该发光磊晶结构至少包括依序堆叠的一第一电性半导体层、一主动层以及一第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层具有不同电性；

定义该发光磊晶结构，以暴露出部分的该第一电性半导体层；

形成一反射结构于该第二电性半导体层上，其中该反射结构至少包括：

一导电分散式布拉格反射结构，位于该第二电性半导体层上；以及

一导电反射层，位于该导电分散式布拉格反射结构上；以及

形成一第一电性电极与一第二电性电极分别位于该第一电性半导体层的该暴露部分与该导电反射层上。