[发明专利]半导体器件、显示装置、以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关、以及第 四开关，

其中，所述晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到像素电极，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方通过所述第三开 关电连接到电位供应线，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的另一方电连接到电源线，

所述晶体管的栅电极通过所述第四开关及所述第二开关电连接 到所述电源线，

所述晶体管的所述栅电极通过所述第四开关及所述第一开关电 连接到信号线，并且

所述晶体管的所述栅电极通过所述第四开关及所述保持电容器 电连接到所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方。

2.一种半导体器件，包括：

晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关、以及第 四开关，

其中，所述晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到像素电极，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方通过所述第三开 关电连接到电位供应线，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的另一方电连接到电源线，

所述晶体管的栅电极通过所述第二开关电连接到所述电源线，

所述晶体管的所述栅电极通过所述第四开关及所述第一开关电 连接到信号线，并且

所述晶体管的所述栅电极通过所述第四开关及所述保持电容器 电连接到所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方。

3.一种半导体器件，包括：

晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关、以及第 四开关，

其中，所述晶体管的源电极及漏电极的一方电连接到像素电极，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方通过所述第三开 关电连接到电位供应线，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的另一方通过所述第四开关 电连接到电源线，

所述晶体管的栅电极通过所述第二开关电连接到所述电源线，

所述晶体管的所述栅电极通过所述第一开关电连接到信号线，并 且

所述晶体管的所述栅电极通过所述保持电容器电连接到所述晶 体管的所述源电极及漏电极的所述一方。

4.一种半导体器件，包括：

晶体管、保持电容器、第一开关、第二开关、第三开关、以及第 四开关，

其中，所述晶体管的源电极及漏电极的一方通过所述第四开关电 连接到像素电极，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方通过所述第四开 关及所述第三开关电连接到电位供应线，

所述晶体管的所述源电极及漏电极的另一方电连接到电源线，

所述晶体管的栅电极通过所述第二开关电连接到所述电源线，

所述晶体管的所述栅电极通过所述第一开关电连接到信号线，并 且

所述晶体管的所述栅电极通过所述保持电容器及所述第四开关 电连接到所述晶体管的所述源电极及漏电极的所述一方。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所述 电位供应线控制所述第三开关。

6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所述 电位供应线为控制上一行及下一行的所述第一至所述第四开关的扫描 线中的任一个。

7.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所述 晶体管为薄膜晶体管。

8.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所述 晶体管为N沟道型晶体管。

9.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所述 晶体管的半导体层由非晶半导体膜构成。

10.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体器件，其中所 述晶体管的半导体层由非晶硅构成。