[发明专利]半导体和由其产生的电子器件

权利要求书

1.一种包括半导体的电子器件，该半导体选自通式(I)、通式(II) 或其混合物，

其中每个R₁到R₁₀独立地是氢、烷基、芳基或芳基烷基；a和b表示 环的数目，并且各自是0-15的数字；和n表示重复基团的数目，并且 是2-50的数字。

2.根据权利要求1的器件，其中a和b各自是0-3的数字。

3.根据权利要求1的器件，其中所述半导体是由下述单体产生的 p-型半导体，该单体包含两个叔胺和两个噻吩并基团，并且该p-型半 导体具有如下通式之一的结构：

其中R₁到R₆的至少一个是烷基或芳基，和n是2-50的数字。

4.根据权利要求1的器件，其中n是10-50的数字，和其中所述 半导体具有通式I的结构。

5.一种薄膜晶体管，由如下部分构成：基材、栅电极、栅电介质 层、源电极和漏电极、及与源电极和漏电极和栅电介质层接触的由通 式(I)和(II)的至少一种组分构成的半导体层：

其中每个R₁到R₁₀独立地是氢、烷基、芳基或芳基烷基；a和b表示 环的数目，并且各自是0-15的数字；和n表示重复基团的数目，并且 是2-50的数字。

6.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中所述半导体具有如下可供 选择的通式的结构：

其中R₁到R₆的至少一个是烷基、芳基或芳基烷基，和n是2-50的数 字。

7.根据权利要求6的薄膜晶体管，其中所述半导体具有如下可供 选择的通式的结构：

其中n是2-50的数字。

8.根据权利要求1的器件，其中所述R₁到R₁₀是甲基、乙基、丙 基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二 烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八 烷基、十九烷基、二十烷基、羟基甲基、羟基乙基、羟基丙基、羟基 丁基、羟基戊基、羟基己基、羟基庚基、羟基辛基、羟基壬基、羟基 癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、甲氧基乙基、甲氧基丙基、甲 氧基丁基、甲氧基戊基、甲氧基辛基、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙 基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬 基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基，其中所述芳基或芳基 烷基是苯基、甲基苯基、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、 己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯 基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、 十六烷基苯基、十七烷基苯基或十八烷基苯基。