[发明专利]官能化杂并苯和由其产生的电子器件

权利要求书

1.一种包括半导材料的电子器件，该半导材料包含通式(I)的组 分：

其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或烷基芳基；每个R₁和R₂独立地是氢、烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的基团或卤 素；R₃和R₄独立地是烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的 基团或卤素；其中所述含杂原子的基团是二烷基胺、二芳基胺、烷氧 基、三烷基甲硅烷基或三芳基甲硅烷基、或噻吩基、吡啶基或烷氧基 烷氧基芳基；x和y表示基团的数目，其中x是0-12的数字，和y是 0-12的数字；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基； 并且n和m表示重复单元的数目，其中m是0-3的数字，和n是0-3 的数字。

2.根据权利要求1的器件，其中R₁和R₂的至少一个是氢；R₁和R₂的至少一个是烷基的烃；R₁和R₂的至少一个是芳基的烃；R₁和R₂的至少一个是卤素；R₁和R₂的至少一个是氰基或硝基；R₃和 R₄的至少一个是烷基的烃；或其中R₃和R₄的至少一个是芳基的烃。

3.根据权利要求1的器件，其中m是2。

4.根据权利要求1的器件，其中m是1。

5.一种薄膜晶体管，由如下部分构成：基材、栅电极、栅电介 质层、源电极和漏电极及与源/漏电极和栅电介质层接触的由如下通 式的组分构成的半导体层：

其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或烷基芳基；每个R₁和R₂独立地是氢、烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的基团或卤 素；R₃和R₄独立地是烷基、烷氧基、芳基、烷基芳基、含杂原子的 基团或卤素；其中所述含杂原子的基团是二烷基胺、二芳基胺、烷氧 基、三烷基甲硅烷基或三芳基甲硅烷基、或噻吩基、吡啶基或烷氧基 烷氧基芳基；x和y表示基团的数目，其中x是0-12的数字，和y是 0-12的数字；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基； 并且n和m表示重复单元的数目，其中m是0-3的数字，和n是0-3 的数字。

6.根据权利要求5的薄膜晶体管，其中所述芳基和所述烷基芳 基是苯基、甲苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛 基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三 烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基 苯基、十八烷基苯基、萘基、甲基萘基、乙基萘基、丙基萘基、丁基 萘基、戊基萘基、己基萘基、庚基萘基、辛基萘基、壬基萘基、癸基 萘基、十一烷基萘基、十二烷基萘基、蒽基、甲基蒽基、乙基蒽基、 丙基蒽基、丁基蒽基、戊基蒽基、辛基蒽基、壬基蒽基、癸基蒽基、 十一烷基蒽基或十二烷基蒽基。