[发明专利]半导体发光器件有效
申请号: | 200710089886.1 | 申请日: | 2007-04-05 |
公开(公告)号: | CN101051664A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 竹川浩 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/367 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
发光元件;
散热部件;以及
子安装座,插入在所述发光元件与所述散热部件之间,其中
所述发光元件通过钎焊材料以及插入的所述子安装座而固定到所述散热部件上,
固定所述子安装座的所述散热部件的表面上具有凹槽,并且所述凹槽不形成在所述发光元件的中心正下方。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述凹槽至少设置在所述散热部件中面对所述子安装座的底表面的表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述子安装座由碳化硅形成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述子安装座由氮化铝形成。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述凹槽的深度等于所述发光元件的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述凹槽的深度等于所述子安装座的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述子安装座的热膨胀系数在4×10-6/k到6×10-6/k的范围上。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述散热部件由铜或铜合金形成。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述子安装座和所述散热部件的设置有所述发光元件的表面由光反射率至少为90%的材料覆盖。
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