[发明专利]一种激光加速离子的方法无效
申请号: | 200710090363.9 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101282612A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 颜学庆 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H05H15/00 | 分类号: | H05H15/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人: | 贾晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 加速 离子 方法 | ||
技术领域
本发明涉及离子加速技术领域,尤其涉及一种采用激光实现离子加速的方法。
背景技术
常规离子加速通常采用射频加速器技术来实现。然而以射频加速器为主体的离子加速设备体积庞大、造价昂贵、维护和运行费用不菲。现在已经投入运行的德国GSI和日本的HIMAC等大型离子加速设备的造价约为10亿欧元左右,我国兰州近物所的重离子加速器造价也在几亿人民币以上。利用超强激光的电磁场来加速离子,可以大大提高离子的加速梯度。现有采用激光实现加速离子的方法通常采用线偏振激光
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光加速离子的方法,大幅度降低束流能散,提高离子束的品质。
本发明的上述目的是通过如下的技术方案予以实现的:
一种激光加速离子的方法,其步骤包括:采用圆偏振激光轰击单层靶,所述单层靶为含有待加速离子的薄膜。
所述激光的光强范围为1018~1022w/cm2。
所述单层靶的厚度为0.001微米~10微米。
所述待加速离子为氢元素,包括氘、氚同位素,所述单层靶为含有氢元素的有机薄膜。
所述待加速离子为碳元素,所述单层靶为碳元素薄膜。
所述待加速离子为金属元素,所述单层靶为与待加速离子相应的金属薄膜。
所述单层靶放置在真空当中。
一种激光加速离子的方法,其步骤包括:采用圆偏振激光,轰击喷嘴喷射出的含有待加速离子的高密度气体(气体密度大于临界密度nr=1*1021个/cm3)。
所述高密度气体的电子归一化密度ne/nr>1。
本发明有以下几个方面的优点:
本发明采用圆偏振激光,电子可以有效地将激光能量传递给靶中或气体中的离子,避免激光能量主要转化为电子的热能,而是把能量更有效地传递给离子。当圆偏振激光轰击单层靶时,靶中的电子将被光压整体推动并压缩到一个薄层内,此时电荷分离产生的电场拉动和加速靶中的离子。在此推拉加速过程中,离子可以同时得到加速和聚束,从而具有很低的能散。本发明运用射频直线加速器中(如RFQ加速器)的动力学优化方法,可以大大提高离子的加速梯度和有效加速长度,同时加速得到的束流品质可与常规射频加速器相比拟。这将大大降低离子加速设备的成本和运行维护费用。
附图说明
下面结合附图对本发明进一步详细地说明:
图1圆偏振光(circular polarization)和线偏振光(linearpolarization)在等离子体中产生的电场;
图2a现有技术双层靶的示意图;图2b单层靶的示意图;其中,1为重金属靶,2为含待加速元素的单层靶;
图3和图4为本发明加速得到的离子能谱。
具体实施方式
下面参照本发明的附图,更详细的描述出本发明的最佳实施例。
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