[发明专利]光波导器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光波导器件，包括：

光波导部分，包括下覆层、核心层和上覆层；以及

光器件安装部分，包括底座块、由所述底座块上形成的薄膜构成的掩膜，和与所述掩膜相接触的光器件，

其中所述上覆层包括第一层和第二层，所述底座块由所述第二层构成。

2.如权利要求1所述的光波导器件，其中至少所述下覆层和所述核心层包括等离子体化学气相沉积膜。

3.如权利要求2所述的光波导器件，其中所述等离子体化学气相沉积膜在其形成之后在不低于1,000℃下退火。

4.一种制造光波导器件的方法，包括：

在衬底上形成下覆层；

在所述下覆层上形成核心层；

去除光器件安装部分中的所述下覆层和所述核心层；

在光波导部分上形成至少一层作为上覆层，在所述光器件安装部分上形成至少一层作为底座块层；

在所述底座块层上形成由薄膜构成的掩膜；

通过使用所述掩膜作为蚀刻掩膜对所述底座块层进行蚀刻来形成所述光器件安装部分中的底座块。

5.如权利要求4所述的制造光波导器件的方法，其中通过先进行反应离子蚀刻再进行湿法蚀刻来执行所述光器件安装部分中的所述下覆层和所述核心层的去除。

6.如权利要求4所述的制造光波导器件的方法，其中至少所述下覆层和所述核心层是通过等离子体化学气相沉积形成的。

7.如权利要求6所述的制造光波导器件的方法，还包括在形成所述掩膜之前对至少所述下覆层和所述核心层在不低于1,000℃下退火。

8.一种制造光波导器件的方法，包括：

通过等离子体化学气相沉积在衬底上形成下覆层；

通过等离子体化学气相沉积在所述下覆层上形成核心层；

在不低于1,000℃下对所述下覆层和所述核心层退火；

在所述核心层上形成第一层作为第一上覆层；

去除光器件安装部分中的所述下覆层、所述核心层和所述第一上覆层；

在光波导部分上形成第二层作为第二上覆层，在所述光器件安装部分上形成第二层作为底座块层；

在所述底座块层上形成由薄膜构成的掩膜；

通过使用所述掩膜作为蚀刻掩膜对所述底座块层进行蚀刻来在所述光器件安装部分中形成底座块。

9.如权利要求8所述的制造光波导器件的方法，其中通过先进行反应离子蚀刻再进行湿法蚀刻来执行所述光器件安装部分中的所述下覆层和所述核心层的去除。