[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710090878.9 | 申请日： | 2007-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101055832A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 二瀬卓也;津金秀明;木本美津男;铃木秀典 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于利用自行对准反应来形成硅化镍层，且在硅上堆积镍膜之前，包含以下工序：
(a)将半导体晶圆放置到第1腔室所具有的晶圆载物台上的工序；
(b)通过设置在所述晶圆载物台上方的喷头来供给等离子激发后的还原气体，对所述半导体晶圆的主面上的所述硅的表面进行干洗处理的工序；
(c-1)从所述晶圆载物台使所述半导体晶圆上升，并使所述半导体晶圆的主面接近所述喷头的工序；
(c-2)以利用了所述喷头的加热温度的第1温度来对所述半导体晶圆进行热处理的工序；
(d)将所述半导体晶圆从所述第1腔室搬运到第2腔室的工序；以及
(e)在所述第2腔室中，以高于所述第1温度的第2温度来对所述半导体晶圆进行热处理的工序；
所述第1温度是100至150℃；
所述第2温度是150至400℃。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于
所述第2温度是165至350℃。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于
所述第2温度是180至220℃。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于
所述第2温度是200℃。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于
利用真空搬运，在所述第1腔室与所述第2腔室之间搬运所述半导体晶圆。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于
所述硅是构成场效应晶体管的栅电极的多晶硅，或者是构成形成着源极、漏极扩散区域的所述半导体晶圆的单晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
