[发明专利]闪存的二维数据写入方法及装置无效
申请号: | 200710090896.7 | 申请日: | 2007-04-11 |
公开(公告)号: | CN101286135A | 公开(公告)日: | 2008-10-15 |
发明(设计)人: | 陈明胜 | 申请(专利权)人: | 宇瞻科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 二维 数据 写入 方法 装置 | ||
1.一种闪存的二维数据写入方法,其结构主要包括多个闪存模块,所述闪存模块是由多个记忆盘构成,所述闪存模块分别电连接缓存,所述缓存电连接处理单元,所述写入方法的步骤包括:
a)设定所述闪存模块数组的每个记忆区间的地址,所述地址顺序依每个所述闪存模块的顺序而定,对每个对应所述记忆盘的每个所述对应记忆区间依序循环编号;
b)切割待存数据为多个不大于一个所述记忆区间容量的数据包;
c)将数据包按照各所述记忆区间的顺序写入。
2.如权利要求1所述的闪存的二维数据写入方法,其特征在于,所述方法是以纵向序列为主,横向序列为辅的二维写入方法。
3.如权利要求2所述的闪存的二维数据写入方法,其特征在于,所述纵向序列是由不同的所述闪存模块所构成。
4.如权利要求2所述的闪存的二维数据写入方法,其特征在于,所述横向序列是由所述闪存模块内部的不同的所述记忆盘所组成。
5.一种具有二维数据写入方法的装置,所述装置的结构包括:
多个闪存模块,是储存数据的媒体;
控制模块,与所述多个闪存模块形成电连接,所述控制模块进一步包括:
多个缓存,所述缓存分别对应连接各所述闪存模块;
处理单元,与所述多个缓存形成电连接,用以规划及整合各闪存模块的存取顺序及动作;
总线,电连接所述处理单元及多个所述缓存,用以作为数据传输的信道。
6.如权利要求5所述具有二维数据写入方法的装置,其特征在于,所述控制模块进一步电连接到连接接口。
7.如权利要求6所述具有二维数据写入方法的装置,其特征在于,所述连接接口电连接所述处理单元。
8.权利要求6所述具有二维数据写入方法的装置,其特征在于,所述闪存模块是闪存,并且由多个记忆盘所组成。
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