[发明专利]显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基底，包括：

薄膜晶体管，布置在基底上，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极、布置在所述栅电极上的第一绝缘膜、布置在所述第一绝缘膜上的有源层以及布置在所述有源层上的源电极和漏电极；

存储电极，布置在所述基底上；

第二绝缘膜，布置在所述薄膜晶体管上；

凹陷，形成在所述第二绝缘膜中；

像素电极，布置在所述第二绝缘膜和所述凹陷上，其中，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管，

其中，所述凹陷的宽度大于所述存储电极的宽度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述存储电极包含与所述栅电极的材料相同的材料。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述凹陷的宽度是所述存储电极的宽度的大约101％至大约150％。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，还包括在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的钝化膜。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基底，其中，所述凹陷暴露所述钝化膜。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述凹陷暴露所述第一绝缘膜。

7.一种显示面板，包括：

第一基底，所述第一基底包括：

薄膜晶体管，布置在所述第一基底上，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极、布置在所述栅电极上的第一绝缘膜、布置在所述第一绝缘膜上的有源层以及布置在所述有源层上的源电极和漏电极；

存储电极，布置在所述第一基底上；

第二绝缘膜，布置在所述薄膜晶体管上；

凹陷，形成在所述第二绝缘膜中；

像素电极，布置在所述第二绝缘膜和所述凹陷上，其中，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管，

第二基底，包括共电极，所述共电极对应于所述像素电极布置；

液晶层，布置在所述第一基底和所述第二基底之间，其中，所述凹陷的宽度大于所述存储电极的宽度。

8.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述存储电极包含与所述栅电极的材料相同的材料。

9.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述凹陷的宽度是所述存储电极的宽度的大约101％至大约150％。

10.如权利要求7所述的显示面板，其中，垂直取向膜设置在所述像素电极和所述共电极上。

11.如权利要求7所述的显示面板，其中，钝化膜布置在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间。

12.如权利要求11所述的显示面板，其中，所述凹陷暴露所述钝化膜。

13.如权利要求7所述的显示面板，其中，所述凹陷暴露所述第一绝缘膜。

14.一种制造薄膜晶体管基底的方法，包括：

在基底上形成栅电极和存储电极；

在所述栅电极和所述存储电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成有源层；

在所述有源层上形成源电极和漏电极；

在所述基底上形成保护膜；

形成凹陷；

在所述凹陷和所述保护膜上形成像素电极，

其中，形成凹陷的步骤包括在对应于所述存储电极的区域中去除所述保护膜的一部分，所述保护膜的这部分的尺寸大于所述存储电极的尺寸。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述存储电极的步骤还包括：

在所述基底上形成导电膜；

利用第一掩模通过光蚀刻工艺来形成第一光致抗蚀剂掩模图案，所述第一掩模具有对应于存储电极区域的透光区或遮光区；

利用所述第一光致抗蚀剂掩模图案来去除所述导电膜的一部分，以形成所述存储电极。

16.如权利要求14所述的方法，其中，形成所述凹陷的步骤还包括：

在所述保护膜上形成光致抗蚀剂；

利用第二掩模通过光蚀刻工艺来形成第二光致抗蚀剂掩模图案，所述第二掩模具有尺寸比所述第一掩模的所述透光区或遮光区大的透光区或遮光区；

利用所述第二光致抗蚀剂掩模图案来去除所述保护膜的一部分。