[发明专利]固体摄像装置及摄像装置有效

专利信息
申请号: 200710092089.9 申请日: 2007-04-06
公开(公告)号: CN101119446A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 村上雅史;弘田正幸;渡边研二 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H01L27/146
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,其特征在于:

包括:多个像素,以二次元排列成矩阵状,

多条垂直信号线,相对于上述多个像素的每列配线,每条连接在上述多个像素中的一列像素上,以及

多个放大器,每个放大器具有电流源用金属氧化物半导体晶体管、放大金属氧化物半导体晶体管和共源-共栅金属氧化物半导体晶体管,且该多个放大器设置在上述各条垂直信号线上,该放大金属氧化物半导体晶体管将从上述多个像素的每个像素输出到上述多条垂直信号线的任意一条垂直信号线的图像信号放大,该共源-共栅金属氧化物半导体晶体管在上述电流源用金属氧化物半导体晶体管与上述放大金属氧化物半导体晶体管之间,与上述放大金属氧化物半导体晶体管进行共源-共栅串联连接,让被放大的上述图像信号从该共源-共栅金属氧化物半导体晶体管与上述电流源用金属氧化物半导体晶体管之间输出;

设置在上述多个放大器的每一个放大器中的上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管的栅极端子连接为一体,

在上述各个放大器中,上述电流源用金属氧化物半导体晶体管具有连接在电源或接地端的漏极、和连接在上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管的漏极及上述各个放大器的输出端子的源极;上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管具有连接在上述放大金属氧化物半导体晶体管的漏极的源极;上述放大金属氧化物半导体晶体管具有连接在接地端或电源的源极、和连接在上述各个放大器的输入端子的栅极。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述各个放大器还具有设置在上述输入端子与上述输出端子之间,用以使上述各个放大器的动作复位的复位电路。

3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:

还包括控制上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管的动作的第一控制电路。

4.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:

还包括向上述第一控制电路提供控制脉冲的控制脉冲生成部。

5.根据权利要求4所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述控制脉冲生成部设定由水平消隐期间和水平读出期间所构成的各个水平扫描期间,并且,在上述水平消隐期间通过上述第一控制电路让上述各个放大器动作,至少在上述水平消隐期间结束时通过上述第一控制电路让上述各个放大器的动作停止。

6.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述第一控制电路至少在上述复位电路进行复位动作期间,让上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管在强反型状态下动作。

7.根据权利要求6所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述放大金属氧化物半导体晶体管为N沟道型金属氧化物半导体晶体管;

上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管的栅极电压高于上述各个放大器复位时的上述放大金属氧化物半导体晶体管的栅极电压。

8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述复位电路、上述电流源用金属氧化物半导体晶体管以及上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管都为N沟道型金属氧化物半导体晶体管。

9.根据权利要求6所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述放大金属氧化物半导体晶体管为P沟道型金属氧化物半导体晶体管;

上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管的栅极电压低于上述各个放大器复位时的上述放大金属氧化物半导体晶体管的栅极电压。

10.根据权利要求3所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述第一控制电路通过在规定期间使上述共源-共栅金属氧化物半导体晶体管为非导通状态,来让上述各个放大器的动作停止。

11.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述各个放大器还具有设置在上述各条垂直信号线与上述放大金属氧化物半导体晶体管的栅极端子之间的第一电容部。

12.根据权利要求11所述的固体摄像装置,其特征在于:

上述各个放大器还具有设置在上述第一电容部与上述输出端子之间的第二电容部。

13.根据权利要求1~12中的任意一项所述的固体摄像装置,其特征在于:

还包括分别具有接收上述各个放大器的输出的第一电容元件,消除上述各个放大器复位时的输出电压差异的消噪声部。

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