[发明专利]薄膜器件

说明书

技术领域

本发明涉及具有缠绕在磁性膜上的薄膜线圈的薄膜器件。

背景技术

近年来，在各种用途的电子设备领域中，广泛使用了具有薄膜线圈的薄膜器件。作为这样的薄膜器件的一例，可举出具有电感的电路元件，即薄膜电感器。

作为安装在薄膜器件上的薄膜线圈的形状，按照小型化(器件面积的缩小化)以及厚度薄(器件厚度的薄型化)的要求，而采用了螺旋型，但是，在不仅要求小型化以及厚度薄、同时也要求提高性能的用途中，采用了螺线管型(例如，参照专利文献1。)。在具有该螺线管型薄膜线圈的薄膜器件中，在薄膜磁性体(磁芯)的周围，励磁导体配置为螺线管状，与具有螺旋型的薄膜线圈的情况相比，能够提高电感。

专利文献1  特开平05-029146号公报

作为该螺线管型的薄膜线圈，公知是具有分割为多个部分的结构的薄膜线圈(例如，参照专利文献2。)。该薄膜线圈是对形成在磁性绝缘衬底的一面以及另一面上的第一以及第二线圈导体和形成在贯通该磁性绝缘衬底的贯通孔上的连接导体进行连接而成的。为了使直流电阻平均化，第一以及第二线圈导体的厚度彼此相等。

专利文献2  特开2004-296816号公报

在具有螺线管型的薄膜线圈的现有薄膜器件中，在小型化以及厚度薄的观点上满足了要求，另一方面，在高频用途上还不能说充分满足提高性能的要求。为了实现该高频用途的薄膜器件的性能提高，必须提高作为线圈的重要特性的Q值。所谓该Q值是定量表示安装在谐振电路中的线圈性能的指标，一般地，以Q＝ωL/R(ω、L以及R分别表示测定频率的角速度、电感以及电阻)的定义式进行表示。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈的情况下能够提高Q值的薄膜器件。

本发明的薄膜器件具有相互对置配置的第一磁性膜以及第二磁性膜、和缠绕在第二磁性膜上的薄膜线圈，薄膜线圈包括：配置在所述第一以及第二磁性膜之间的多个第一线圈部分；隔着所述第二磁性膜配置在所述第一线圈部分的相反侧的多个第二线圈部分；以及将所述第一以及第二线圈部分串联连接起来的多个第三线圈部分，第一线圈部分的厚度比第二线圈部分的厚度大。

在该薄膜器件中，在缠绕于第二磁性膜上的薄膜线圈中，夹持于第一以及第二磁性膜的第一线圈部分的厚度比未夹持于第一以及第二磁性膜的第二线圈部分的厚度大，故与第一线圈部分的厚度小于等于第二线圈部分的厚度的情况相比，在第一以及第二磁性膜之间，交链第一线圈部分的过渡磁通(渡り磁束)的量减少。

在本发明的薄膜器件中，优选多个第二线圈部分配置成与多个第一线圈部分的一端或者另一端重叠，第三线圈部分配置在第一和第二线圈部分相互重叠的位置上。特别是，优选第二线圈部分的厚度TB与第一线圈部分的厚度TA之比TB/TA在0.1＜TB/TA＜1的范围内。

根据本发明的薄膜器件，在缠绕于第二磁性膜上的薄膜线圈中，第一线圈部分的厚度比第二线圈部分的厚度大，所以，与第一线圈部分的厚度小于等于第二线圈部分的厚度的情况相比，能够提高Q值。此时，例如，如果第二线圈部分的厚度TB与第一线圈部分的厚度TA之比TB/TA在0.1＜TB/TA＜1的范围内，则能够抑制薄膜线圈的直流电阻增大，并能够得到充分的Q值。

附图说明

图1是表示作为本发明第一实施方式的薄膜器件的一个应用例的、薄膜电感器的平面结构的平面图。

图2是表示沿着图1所示II-II线的薄膜电感器的剖面结构的剖面图。

图3是表示沿着图1所示III-III线的薄膜电感器的剖面结构的剖面图。

图4是表示沿着图1所示IV-IV线的薄膜电感器的剖面结构的剖面图。

图5是表示第一比较例的薄膜电感器的剖面结构的剖面图。

图6是表示第二比较例的薄膜电感器的剖面结构的剖面图。

图7是表示本发明的薄膜电感器结构的变形例的剖面图。

图8是表示本发明的薄膜电感器结构的另一变形例的剖面图。

图9是表示电感Ldc的厚度比TB/TA依赖性的图。

图10是表示电感L1M的厚度比TB/TA依赖性的图。

图11是表示电阻Rdc的厚度比TB/TA依赖性的图。

图12是表示电阻R1M的厚度比TB/TA依赖性的图。

图13是表示Q值Q1M的厚度比TB/TA依赖性的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。