[发明专利]有机无机复合半导体材料、液态材料、有机发光元件、有机发光元件的制造方法、发光装置有效
申请号: | 200710092166.0 | 申请日: | 2007-04-02 |
公开(公告)号: | CN101055924A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 牧浦理惠;奥山智幸;川濑健夫;纳户光治;林田刚;后藤康之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社;大电株式会社;九州电力株式会社 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 无机 复合 半导体材料 液态 材料 发光 元件 制造 方法 装置 | ||
1.一种有机无机复合半导体材料,其特征在于,以含有下述通式(1)
【化1】
表示的化合物、和从由碱金属离子、碱土类金属离子及稀土类金属离子构成的组中选择的至少一种金属离子的材料为主材料而构成,所述碱金属离子是铯离子,所述碱土类金属离子是钙离子,所述稀土类金属离子是镱离子,式中,Ar1、Ar2和Ar3至少具有芳香族环基,
将所述通式(1)表示的化合物中含有的P=O键的数目设为A个、所述金属离子的数目设为B个时,作为所述通式(1)表示的化合物与所述金属离子的量比的B/A为0.05以上。
2.根据权利要求1所述的有机无机复合半导体材料,其中,
所述Ar1、Ar2和Ar3的至少一种具有取代基。
3.根据权利要求2所述的有机无机复合半导体材料,其中,
所述Ar1、Ar2和Ar3的至少一种具有苯基。
4.根据权利要求3所述的有机无机复合半导体材料,其中,所述苯基与所述通式(1)表示的化合物的P结合,所述取代基与所述苯基结合,所述取代基用下述通式(2)表示,
【化2】
式中,Ar4和Ar5至少具有芳香族环基。
5.根据权利要求4所述的有机无机复合半导体材料,其中,所述通式(2)的所述Ar4和所述Ar5是苯基。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的有机无机复合半导体材料,其中,
将所述通式(1)表示的化合物中含有的P=O键的数目设为A个、所述金属离子的数目设为B个时,作为所述通式(1)表示的化合物与所述金属离子的量比的B/A为0.2以上。
7.一种有机发光元件,其特征在于,包括:
阳极;
阴极:
位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层;和
位于所述有机发光层和所述阴极之间的电子输送层,
所述电子输送层以含有下述通式(1)
【化3】
表示的化合物、和从由碱金属离子、碱土类金属离子及稀土类金属离子构成的组中选择的至少一种金属离子的材料为主材料而构成,所述碱金属离子是铯离子,所述碱土类金属离子是钙离子,所述稀土类金属离子是镱离子,式中,Ar1、Ar2和Ar3至少具有芳香族环基,
将所述通式(1)表示的化合物中含有的P=O键的数目设为A个、所述金属离子的数目设为B个时,作为所述通式(1)表示的化合物与所述金属离子的量比的B/A为0.05以上。
8.一种液态材料,其特征在于,包含:
下述通式(1)
[化4]
表示的化合物,具有从由碱金属离子、碱土类金属离子及稀土类金属离子构成的组中选择的至少一种金属离子的金属化合物,和溶剂;所述碱金属离子是铯离子,所述碱土类金属离子是钙离子,所述稀土类金属离子是镱离子,式中,Ar1、Ar2和Ar3至少具有芳香族环基,
将所述通式(1)表示的化合物中含有的P=O键的数目设为A个、所述金属离子的数目设为B个时,作为所述通式(1)表示的化合物与所述金属离子的量比的B/A为0.05以上。
9.根据权利要求8所述的液态材料,其中,
所述溶剂为质子型极性溶剂。
10.根据权利要求9所述的液态材料,其中,
所述溶剂是含有水或醇类的溶剂。
11.根据权利要求10所述的液态材料,其中,
所述醇类是碳原子数为1~7的一元醇。
12.根据权利要求8~11中任意一项所述的液态材料,其中,
所述金属化合物含有金属盐、金属配位化合物及金属醇盐中的至少一种。
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