[发明专利]GaN晶体衬底无效
| 申请号： | 200710092177.9 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101070619A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 藤田俊介;笠井仁 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 晶体 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN晶体衬底，包括：
矩阵晶体区(11)；以及
不同取向的晶体区(13)，包括在至少一个晶轴不同于所述矩阵晶体区(11)的晶体的晶体，其中
所述不同取向的晶体区(13)形成有表示任意规定的晶体取向(10a)的形状，
所述不同取向的晶体区(13)在厚度方向上贯穿所述衬底，
所述衬底具有其上生长晶体的晶体生长表面(10c)和与所述晶体生长表面(10c)相对的后表面(10r)，以及
在所述衬底的所述晶体生长表面(10c)和所述后表面(10r)上分别出现的所述不同取向的晶体区(13)的第一和第二图形相对于所述衬底的外部形状彼此不同。
2.根据权利要求1的GaN晶体衬底，其中
所述不同取向的晶体区(13)是c-轴反向的晶体区(13t)，其由a-轴取向与所述矩阵晶体区(11)的晶体相同和c-轴取向与所述矩阵晶体区(11)的晶体反向的晶体形成。
3.根据权利要求1的GaN晶体衬底，其中
所述不同取向的晶体区(13)是多晶区(13m)，包括a-轴取向与所述矩阵晶体区(11)的晶体不同以及c-轴取向与所述矩阵晶体区(11)的晶体相同的多个晶体。
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