[发明专利]薄膜器件

说明书

技术领域

本发明涉及具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈的薄膜器件。

背景技术

以往，在各种用途的电子设备领域中，广泛使用了包含薄膜线圈 的薄膜器件。作为这样的薄膜器件的一例，可举出具有电感的电路 元件的薄膜电感器。

作为安装在薄膜器件上的薄膜线圈的形状，按照小型化(器件面 积的缩小化)以及厚度薄(器件厚度的薄型化)的要求而采用了螺 旋型，但是，在不仅要求小型化以及厚度薄、同时也要求提高性能 的用途中，采用了螺线管型(例如，参照专利文献1。)。在具有该螺 线管型薄膜线圈的薄膜器件中，在薄膜磁性体(磁芯)的周围，励 磁导体配置为螺线管状，与具有螺旋型的薄膜线圈的情况相比，能 够提高电感。

专利文献1  特开平05-029146号公报

作为该螺线管型的薄膜线圈，公知的是具有分割为多个部分的结 构的薄膜线圈(例如，参照专利文献2。)。该薄膜线圈是将形成在 磁性绝缘衬底的一面以及另一面上的第一以及第二线圈导体和形成 在贯通该磁性绝缘衬底的贯通孔上的连接导体连接而成的。为了在 薄膜线圈整体上使直流电阻均匀化，第一以及第二线圈导体的厚度 彼此相等。

专利文献2  特开2004-296816号公报

在具有螺线管型的薄膜线圈的现有薄膜器件中，在小型化以及厚 度薄的观点上满足了要求，另一方面，还不能说满足了提高性能的 要求。特别是，在将薄膜器件应用到薄膜电感器时，为了实现提高 性能，必须提高电感。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而进行的，其目的在于提供一种在具有 缠绕在磁性膜上的薄膜线圈的情况下能够提高电感的薄膜器件。

本发明的第1薄膜器件具有衬底、配置在衬底上的磁性膜、和缠 绕在磁性膜上的薄膜线圈，薄膜线圈包括：多个第一线圈部分，配 列在接近衬底的阶层面上；多个第二线圈部分，配列在远离衬底的 阶层面上；多个第三线圈部分，与第一以及第二线圈部分串联连接， 第一线圈部分的厚度比第二线圈部分的厚度小。在该薄膜器件中， 使第一以及第二线圈部分的厚度总和固定，与使它们的厚度彼此相 等的情况不同，因为第一线圈部分的厚度不会过大，所以，磁性膜 基底的起伏变小。由此，因为磁性膜的平坦性变好，故磁特性(导 磁率)难以恶化。

在该薄膜器件中，还可以具有至少两个追加磁性膜，以夹持磁性 膜以及薄膜线圈的方式配置。此外，也可以是多个第二线圈部分以 与多个第一线圈部分的一端或者另一端重叠的方式配置，第三线圈 部分配置在第一和第二线圈部分相互重叠的位置上。

本发明的第2薄膜器件具有相互对置配置的第一磁性膜以及第 二磁性膜、缠绕在第二磁性膜上的薄膜线圈，薄膜线圈包括：多个 第一线圈部分，配列在第一以及第二磁性膜之间；多个第二线圈部 分，夹持第二磁性膜并配列在第一线圈部分的相反侧；多个第三线 圈部分，与第一以及第二线圈部分串联连接，在薄膜线圈缠绕方向 上的至少一个末端的第一线圈部分的厚度比第二线圈部分的厚度 小。在该薄膜器件中，在缠绕于第二磁性膜上的薄膜线圈上，由第 一以及第二磁性膜夹持的第一线圈部分中至少末端的厚度比没有被 第一以及第二磁性膜夹持的第二线圈部分的厚度小，所以，与第一 线圈部分中至少末端的厚度大于等于第二线圈部分的厚度的情况相 比，第一以及第二磁性膜间泄漏磁通的量减少。在该薄膜器件中， 各第一线圈部分的厚度可以比第二线圈部分的厚度小。此时，各第 一线圈部分的厚度可以彼此相等，或者也可以各第一线圈部分的厚 度在末端以外更大。在后者的情况下，优选各第一线圈部分的厚度 从末端向中央逐渐变大。此外，可以是多个第二线圈部分以与多个 第一线圈部分的一端或者另一端重叠的方式配置，第三线圈部分配 置在第一和第二线圈部分相互重叠的位置上。并且，优选薄膜线圈 的缠绕方向的至少第二线圈部分的厚度TB与末端的第一线圈部分的 厚度TA之比TB/TA在1＜TB/TA≤2.7的范围内。

根据本发明的第一薄膜器件，具有缠绕在磁性膜上的薄膜线圈， 配置在接近衬底的阶层的第一线圈部分的厚度比配置在远离衬底的 阶层的第二线圈部分的厚度小，故能够提高电感。