[发明专利]铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺无效
| 申请号： | 200710093219.0 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101215688A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冀庆康;周荣康;吴文俊;刘太贵 | 申请（专利权）人： | 重庆跃进机械厂 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所 | 代理人： | 郭云 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝合金 减摩层软锡相 颗粒 pvd 轴瓦 磁控溅射 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺，包括溅前处理、轴瓦装入溅射舱内夹具上、溅射舱抽真空、溅射镍栅层(4)、溅射铝合金减摩层(6)、检查尺寸及外观、以及后续处理，其特征在于：所述溅射铝合金减摩层(6)的工艺条件：先制备铝合金靶材，该铝合金靶材中纯锡重量百分含量16％～25％；纯铜重量百分含量0.3％～3％；纯铝重量百分含量83.7％～72％；PVD轴瓦基体与铝合金靶材之间的距离为60～120mm；再溅射铝合金(AlSnCu)减摩层，溅射舱内温度为40～98℃；工作气体氩气分压为0.1～1.2Pa的范围内；对PVD轴瓦基体通电，PVD轴瓦基体负偏压为-100～-160V。
2.根据权利要求1所述铝合金减摩层软锡相颗粒更细的PVD轴瓦磁控溅射工艺，其特征在于：所述溅射铝合金减摩层(6)的工艺条件：PVD轴瓦基体与铝合金靶材之间的距离为80～100mm；溅射铝合金(AlSnCu)减摩层溅射舱内温度为60～80℃；工作气体氩气分压为0.4～0.8Pa的范围内；PVD轴瓦基体负偏压为-120～-140V。
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