[发明专利]光刻处理单元和器件制造方法有效
| 申请号： | 200710093694.8 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101051189A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | S·G·克鲁斯维杰克;J·G·利明 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;刘华联 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 处理 单元 器件 制造 方法 | ||
1.一种使用光刻装置的器件制造方法，所述方法包括：
将第一层辐射敏感材料涂覆在衬底上；和
对所述第一层辐射敏感材料进行曝光和显影，以在其中的第一图案 中形成第一孔；
利用第一填料来填充衬底的第一层辐射敏感材料中的第一图案中的 第一孔；
除去所述第一层辐射敏感材料，而不除去所述第一填料；
在所述第一填料周围涂覆第二层辐射敏感材料；
对所述第二层辐射敏感材料进行曝光和显影处理，以在其中的第二 图案中形成第二孔；
利用第二填料来填充所述第二孔；
除去所述第二层辐射敏感材料，而不除去所述第一和第二填料；
将所述衬底的未被所述第一填料和第二填料覆盖的区域所限定的第 三图案转移到所述衬底中；和
除去所述第一和第二填料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图案和第二 图案是交错的，使得所述第三图案中的特征的间距小于所述第一图案和 第二图案中的特征的间距。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述第三图案转移 到所述衬底中包括，对未被所述第一和第二填料覆盖的衬底区域进行蚀 刻。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述第一和第二 孔包括，将填料材料旋涂在衬底上的已被曝光和显影的辐射敏感材料层 上面。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一填料和第二 填料由相同的材料形成。
6.一种使用光刻装置的器件制造方法，所述方法包括：
将第一层辐射敏感材料涂覆在衬底上；和
对所述第一层辐射敏感材料进行曝光和显影，以在其中的第一图案 中形成第一孔；
利用第一填料来填充衬底的第一层辐射敏感材料中的第一图案中的 第一孔；
除去所述第一层辐射敏感材料，而不除去所述第一填料；
在所述第一填料周围涂覆第二层辐射敏感材料；
对所述第二层辐射敏感材料进行曝光和显影处理，以在其中的第二 图案中形成第二孔；
除去所述第一填料，而不除去所述第二层辐射敏感材料，以形成对 应于所述第一孔的第三孔；
将所述第二孔和第三孔所限定的第三图案转移到所述衬底中；和
除去所述第二层辐射敏感材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一图案和第二 图案是交错的，使得所述第三图案中的特征的间距小于所述第一图案和 第二图案中的特征的间距。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将所述第三图案转移 到所述衬底中包括，对未被所述第一和第二填料覆盖的衬底区域进行蚀 刻。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，填充所述第一和第二 孔包括，将填料材料旋涂在所述衬底上的已被曝光和显影的辐射敏感材 料层上面。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一填料和第 二填料由相同的材料形成。
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