[发明专利]氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺

权利要求书

1.一种氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺，该工艺包括在蓝宝石衬底上外延生长氮化镓基发光二极管晶片、蒸镀透明电极、干法刻蚀N-GaN台阶、P区和N区电极制备、钝化层形成及减薄后LED芯片背面沉积金属层，其特征在于：

所述干法刻蚀N-GaN台阶分两步，第一步主刻蚀，采用Cl2和Ar的混合气体作刻蚀气体，刻蚀出N-GaN层；第二步，在第一步刻蚀完成后，通入BCl3和N2的混合气体作刻蚀气体，刻蚀掉0.05～0.15um厚的N-GaN层。

2.按照权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述第一步中Cl2和Ar的流量比为3：2，所述第二步中BCl3和N2的流量比为1：3。

3.按照权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述减薄后LED芯片背面沉积金属层为依次蒸镀三层金属膜，先镀一与蓝宝石衬底黏附性好的第一金属膜，接着镀一金属反射的第二金属膜，最后蒸镀一保护金属的第三金属膜。

4.按照权利要求3所述的制备工艺，其特征在于：所述第一金属膜的金属为钛、铬、镍中的任一种，所述第二金属膜的金属为铝或银，所述第三金属膜的金属为钛或铬。

5.按照权利要求3或4所述的制备工艺，其特征在于：所述第一金属膜的厚度为10～20nm，第二金属膜的厚度为500～600nm，第三金属膜的厚度为20～30nm。