[发明专利]半导体晶圆制造中金属间介质填充方法有效
| 申请号： | 200710094087.3 | 申请日： | 2007-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101393868A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 甄永泰;张慧君;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 金属 介质 填充 方法 | ||
1、一种半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)通过反应腔体，在底层PECVD二氧化硅薄膜(301)上沉积第一SACVD二氧化硅过渡层(302)；
(2)在所述反应腔体内不破真空的情况下，在所述第一二氧化硅过渡层(302)上，沉积SACVD二氧化硅主沉积层(303)；
(3)在所述反应腔体内不破真空情况下，在所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)上，再沉积一层第二SACVD二氧化硅过渡层(304)；
(4)在所述第二SACVD二氧化硅过渡层(304)上，使用PECVD方法，淀积顶层PECVD二氧化硅薄膜(305)；
其中，所述第一SACVD二氧化硅过渡层(302)和第二SACVD二氧化硅过渡层(304)的张应力和厚度均小于所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)的张应力和厚度，且所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)厚度在范围内。
2、根据权利要求1所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，所沉积的第一SACVD二氧化硅过渡层(302)张应力应控制在150Mpa～250Mpa范围内，且厚度在范围内。
3、根据权利要求2所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，所沉积的第一SACVD二氧化硅过渡层(302)的厚度为
4、根据权利要求1至3中任一项所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，在沉积所述SACVD二氧化硅主沉积层(303)时，应根据金属间沟道的高宽比增大所述反应腔内部的压力，以得到张应力在350Mpa～450Mpa的范围内、厚度在范围内的SACVD二氧化硅主沉积层(303)。
5、根据权利要求4所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，所沉积的SACVD二氧化硅主沉积层(303)的厚度为
6、根据权利要求1、2、3或5中任一项所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，在沉积所述第二SACVD二氧化硅过渡层(304)时，应根据金属间沟道的高宽比，降低所述反应腔内部的压力，以得到张应力在200Mpa～250Mpa的范围内、厚度在范围内的第二SACVD二氧化硅过渡层(304)。
7、根据权利要求4所述的半导体晶圆制造中金属间介质填充方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，沉积所述第二SACVD二氧化硅过渡层(304)时，应根据金属间沟道的高宽比，降低所述反应腔内部的压力，以得到张应力在200Mpa～250Mpa的范围内，且厚度在范围内的第二SACVD二氧化硅过度层(304)。
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