[发明专利]深槽隔离非晶硅的制备方法有效
| 申请号： | 200710094108.1 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399218A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王剑敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 非晶硅 制备 方法 | ||
1.一种深槽隔离非晶硅的制备方法，用于将非晶硅填充进深槽中，其特征在于，包括在非晶硅淀积设备中连续进行如下步骤：
(1)在深槽上淀积第一层非晶硅；
(2)用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入氧气和氩气的混合气体吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；
(3)在步骤(2)形成的二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧气和氩气的混合气体吹扫时的淀积设备温度与非晶硅淀积时的设备温度相同。
3.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述氧气和氩气的混合气体的流量为500sccm～1500sccm，所述氧气吹扫时淀积设备内的压力为0.1～1托，所述氧气和氩气的混合气体吹扫的时间为30秒～240秒。
4.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中形成的二氧化硅的厚度为
5.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述第一层非晶硅的厚度为所述深槽填充所需要的非晶硅厚度的40％～60％。
6.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧气和氩气的混合气体中，氧气的摩尔百分比含量为1％～2％。
7.一种深槽隔离非晶硅的制备方法，用于将非晶硅填充进深槽中，其特征在于，包括在非晶硅淀积设备中连续进行如下步骤：
(1)在淀积设备中，在深槽上淀积第一层非晶硅；
(2)用氮气吹扫清洗气体管路和所述淀积设备，后在所述设备内通入N2O吹扫，使第一层非晶硅表面氧化形成二氧化硅；
(3)在步骤(2)形成的二氧化硅上淀积第二层非晶硅，完成所述深槽的填充。
8.按照权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述第一层非晶硅的厚度为所述深槽填充所需要的非晶硅厚度的40％～60％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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