[发明专利]形成高压栅氧结构的工艺方法无效
| 申请号： | 200710094128.9 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409261A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/285;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 高压 结构 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种形成高压栅氧结构的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在硅片表面上热氧化一层衬垫二氧化硅膜(22)；然后，再在所述衬垫二氧化硅膜(22)上淀积一层介质膜层(23)；再在所述介质膜层上涂覆一层光刻胶(24)；
(2)在所述光刻胶(24)上形成所需光刻图形，然后干法刻蚀去除露出的介质膜层(23)，然后去除所述光刻胶(24)；
(3)采用湿法腐蚀的方法，去除露出的二氧化硅膜(22)；
(4)进行栅极热氧化，形成高压区域栅氧化膜(25)；
(5)采用湿法去除剩余的介质膜层(23)以及衬垫二氧化硅膜(22)，最终形成高压栅氧结构。
2、根据权利要求1所述的形成高压栅氧结构的工艺方法，其特征在于，所述介质膜层(23)与二氧化硅具有高湿法腐蚀选择比。
3、根据权利要求2所述的形成高压栅氧结构的工艺方法，其特征在于，所述介质膜层(23)为Si3N4或SiON膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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