[发明专利]光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法

权利要求书

1.一种光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，用于光刻尺寸超规格产生 光刻尺寸偏差时，进一步刻蚀衬底上的主介质膜，达到设定的主介质膜线 宽，其中所述主介质膜上有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上涂有光刻胶； 其特征在于，包括如下步骤：

(1)根据所述光刻尺寸偏差计算所述的刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度 修正值，计算公式如下：

2*T*ctgA＝δ+2*T*ctg(A+θ)

其中，

T为所述刻蚀阻挡层的厚度；

A为所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；

δ为所述光刻尺寸偏差；

θ为所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，θ可以是正值或负值；

(2)根据所述刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度修正值，通过改变刻蚀参 数调整刻蚀阻挡层的刻蚀断面角度；所述刻蚀断面角度为0度～90度；

(3)进一步刻蚀主介质膜，得到设定的主介质膜线宽。

2.如权利要求1所述的光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，其特征在 于，所述的主介质膜包括金属和多晶硅。

3.如权利要求1所述的光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，其特征在 于，所述的刻蚀阻挡层包括硬掩膜和绝缘抗反射材料。

4.如权利要求3所述的光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，其特征在 于，所述的硬掩膜和绝缘抗反射材料包括：氮氧化硅、氮化硅、二氧化硅、 和金属化合物。  

5.如权利要求1所述的光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，其特征在 于，所述的光刻尺寸偏差包括正偏差和负偏差。

6.如权利要求1所述的光刻尺寸超规格的修正刻蚀方法，其特征在 于，步骤(2)所述的刻蚀参数包括反应室压力、射频功率、气体流量、 和反应室温度。