[发明专利]半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置及方法

权利要求书

1、一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置；其特征在于，包括：在被检测的工艺设备单元中的硅片上方设置一个信号发射装置和一个信号接收装置，所述的信号发射装置向所述的硅片表面发射入射信号，所述的信号接收装置设置在所述入射信号经水平硅片反射后的路径上，用于接收所述入射信号经所述硅片表面反射后的反射信号。

2、如权利要求1所述的半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，其特征在于，所述的工艺设备单元包括显影设备的热板烘烤单元和冷板冷却单元、监控涂胶设备的热板烘烤单元和冷板冷却单元、及清洗设备的正面和背面旋转单元。

3、如权利要求1所述的半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，其特征在于，所述的入射信号和反射信号为光波信号。

4、如权利要求1所述的半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，其特征在于，所述的入射信号和反射信号为超声波信号。

5、如权利要求4所述的半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测装置，其特征在于，所述的信号接收装置还包括信号转换装置，用于将所述的超声波信号转换为电信号。

6、一种半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测方法；其特征在于，包括如下步骤：

(1)信号发射装置向硅片表面发射入射信号；

(2)信号接受装置接收反射信号；

(3)根据反射信号的强度判断硅片位置是否平衡，当反射信号的强度近似等于入射信号的强度，则判断硅片位置平衡；当反射信号的强度小于入射信好的强度，则判断硅片位置非平衡。

7、如权利要求6所述的半导体器件制备工艺中硅片平衡的检测方法，其特征在于，所述的根据反射信号的强度判断硅片位置是否平衡包括将所述的反射信号转换为电信号，根据该电信号的强度判断硅片位置是否平衡。