[发明专利]OTP存储器单元及其读取和编程方法无效
| 申请号： | 200710094247.4 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101441889A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | otp 存储器 单元 及其 读取 编程 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种OTP存储器单元，其特征在于：所述OTP存储器单元包括第一个PMOS晶体管和第二个PMOS晶体管，所述第一个PMOS晶体管的栅极为该OTP存储器单元的字线端，所述第一个PMOS晶体管的源极为该OTP存储器单元的源极端，所述第一个PMOS晶体管的漏区和所述第二个晶体管的源区共用一个P+区，所述第二个PMOS晶体管的栅极位于浮置状态，所述第二个PMOS晶体管的漏极为该OTP存储器单元的位线端。
2、一种权利要求1所述的OTP存储器单元编程和读取的方法，其特征在于：读取状态下，在所述OTP存储器单元的源极端和衬底端加0电压，所述OTP存储器单元的字线端和位线端加负电压，以使所述第一个PMOS晶体管导通；编程状态下，在所述OTP存储器单元的字线端和位线端加0电压，所述OTP存储器单元的源极端和衬底端加比正常工作电压大的正电压，使两个PMOS晶体管导通，并使热载流子注入到浮置的第二个PMOS晶体管的栅极中。
3、按照权利要求2所述的OTP存储器单元编程和读取的方法，其特征在于：所述编程时，而在VSL源极和衬底接线端Vsub上加的电压比PMOS晶体管正常工作电压高1～3V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710094247.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
