[发明专利]STI结构的制备方法有效
| 申请号： | 200710094286.4 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447424A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 迟玉山;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sti 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种STI结构的制备方法，包括硬掩膜的刻蚀步骤，刻蚀硬掩膜层；其特征在于：所述硬掩膜刻蚀分前段刻蚀和后段刻蚀，在所述后段刻蚀中改变刻蚀参数使侧向性刻蚀增强，从而在硬掩膜底部形成斜切口结构。
2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的硬掩膜刻蚀为干法刻蚀。
3.按照权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述刻蚀采用双功率源刻蚀设备，包含上部电源功率和偏转功率，所述前段刻蚀的刻蚀参数：刻蚀腔体压力为10～50毫托，上部电源功率为300～850W，偏转功率为55～250W，碳氟系气体流量为50～250sccm；所述后段刻蚀的刻蚀参数：压力为40～100毫托，上部电源功率为600～900W，偏转功率为40w～100W，碳氟系气体流量为10～300sccm。
4.按照权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：所述的后段刻蚀中刻蚀掉的厚度为小于硬掩膜厚度的50％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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