[发明专利]形成不同图形密度的光刻方法有效
| 申请号： | 200710094316.1 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452210A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 不同 图形 密度 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种形成不同图形密度的光刻方法，用于刻蚀宏负载效应测试，其特征在于：该光刻方法至少使用两块具有不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个阵列的不同单元内利用上述不同图形密度的光刻掩膜板按预定的位置光刻，使该阵列形成图像均匀的光刻图形，最终得到整体光刻图形密度。
2.按照权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：使用两块不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个阵列的不同单元内，用所述两块光刻掩膜版相互交替光刻，得到整体图形密度为上述两块光刻掩膜版图形密度和的一半的光刻图形密度。
3.按照权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：使用两块不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的一个2X2的阵列单元内，在其中三个单元上用所述其中一块光刻掩膜版光刻，而在剩余的单元上用另一块光刻掩膜版光刻，得到整体光刻图形密度。
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