[发明专利]金属互连结构的制备方法无效
| 申请号： | 200710094317.6 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452876A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;陈雄斌;熊涛;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 制备 方法 | ||
1、一种金属互连结构的制备方法，所述金属互连结构包括金属连线和金属层间互连导线，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在第一层介质层上淀积Ti层和TiN层，接着淀积金属层，所述金属层的厚度等于金属连线的厚度和金属层间互连导线的厚度之和；
(2)用光刻胶光刻，定义出金属连线的图案；
(3)依次刻蚀金属层、TiN层和Ti层至第一层介质层表面，形成金属连线；
(4)用光刻胶光刻，使光刻胶覆盖在金属层间互连导线的位置处的金属层上；
(5)刻蚀没有被光刻胶覆盖的金属层，所述刻蚀深度为金属层间互连导线的厚度，使该部分形成金属连线，而被光刻胶覆盖的金属层部分形成金属层间互连导线；
(6)淀积第二层介质层；
(7)用CMP法研磨第二层介质层至金属层间互连导线表面。
2、一种金属互连结构的制备方法，所述金属互连结构包括金属连线和金属层间互连导线，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在第一层介质层上淀积Ti层和TiN层，接着淀积金属层，所述金属层的厚度等于金属连线的厚度和金属层间互连导线的厚度之和；
(2)用光刻胶光刻，使光刻胶覆盖在所述金属层中的金属层间互连导线的图案上；
(3)刻蚀没有被光刻胶覆盖的金属层，所述刻蚀的深度为金属层间互连导线的厚度，得到金属层间互连导线；
(4)用光刻胶光刻，定义出金属连线的图案；
(5)依次刻蚀金属层、TiN层和Ti层至第一层介质层表面，得到金属连线；
(6)淀积第二层介质层；
(7)用CMP法研磨第二层介质层至金属层间互连导线表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
