[发明专利]PN结变容管及其品质因数的提取方法无效
| 申请号： | 200710094321.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101452968A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L21/329;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pn 结变容管 及其 品质因数 提取 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种PN结变容管；其特征在于，包括：P衬底、所述P衬底表面通过注入N型离子形成的一个N型深阱、所述N型深阱表面通过注入P型离子形成的一个P阱、及所述P阱表面通过注入N型离子形成的一个N+区。
2、一种如权利要求1所述的PN结变容管的品质因数的提取方法，其特征在于，包括下步骤：
(1)在所述PN结变容管的N+端加入偏压；
(2)测量PN结变容管的N+端的射频导纳Y参数；
(3)计算所述PN结变容管的品质因数，其计算公式为：
其中，Q为所述PN结变容管的品质因数，Im()为取复数虚部的函数，Re()为取复数实部的函数，Y表示步骤(2)所得的N+端的射频导纳Y参数。
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