[发明专利]MOS晶体管中的沟道结构无效
| 申请号： | 200710094352.8 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452954A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 中的 沟道 结构 | ||
【权利要求书】：
1、一种MOS晶体管中的沟道结构，其特征在于：所述沟道区的硅衬底表面设有多个沟槽，所述各沟槽的长度方向与MOS晶体管工作时沟道区内电流的运动方向相同。
2、按照权利要求1所述的沟道结构，其特征在于：所述多个沟槽在沟道区内等距排列。
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