[发明专利]光刻胶掩模图形的显影方法

权利要求书

1.一种光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，包括：

a)提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；

b)将半导体衬底置于刻蚀反应室中；

c)采用含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体对光刻胶进行预刻 蚀，包括：将含有元素周期表中VIIA族原子的第一刻蚀气体通入刻蚀反 应室；激发通入的第一刻蚀气体，使通入的气体呈等离子态并与光刻胶的 未曝光部分发生反应；其中，所述含有元素周期表中VIIA族原子的第一 刻蚀气体包括含有F2、C12、Br2、I2、HF、HCl、HBr或HI的气体；

d)采用第二刻蚀气体对光刻胶进行刻蚀，所述第二刻蚀气体包括氧气。

2.根据权利要求1所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所述激 发通入的第一刻蚀气体，持续时间为10秒至120秒。

3.根据权利要求1所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所述激 发通入的第一刻蚀气体，包括采用射频功率源进行激发。

4.根据权利要求1所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，刻蚀反 应室的气压为1帕～100帕。

5.根据权利要求1所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，刻蚀反 应室的温度为150℃～400℃。

6.根据权利要求1所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，在实施 步骤b)之前，对经曝光处理后的半导体衬底表面的光刻胶进行硅化处理。

7.根据权利要求6所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所述硅 化处理包括如下步骤：

将曝光后的涂敷有光刻胶的半导体衬底置于硅化反应室中；

提供包括下式所示一种或多种硅基有机物的反应物质：

其中R³～R⁵独立的表示选自线性或支化的、至多具有10个碳原子的烷基、 硅烷基、或者胺基；

使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶。

8.根据权利要求7所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所述光 刻胶的组成成份中含有聚酰胺酸和重氮萘醌。

9.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述硅化反应室内的气体为He、Ne、Ar、N₂、O₂或者空气。

10.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述硅化反应室内的压强为1～100帕。

11.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述硅化反应室的温度为90℃～150℃。

12.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶的时间为80秒～200秒。

13.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述光刻胶的厚度为150纳米～500纳米。

14.根据权利要求7或8所述之光刻胶掩模图形的显影方法，其特征在于，所 述硅化处理方法还包括在使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶之后， 烘烤涂敷光刻胶的半导体衬底。